[发明专利]利用热分析分析光电分层系统的方法无效
申请号: | 201180046899.5 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN103119426A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | T.达利博尔 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | G01N25/72 | 分类号: | G01N25/72;G01R31/26;G01R31/265 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 丁永凡;卢江 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 分析 光电 分层 系统 方法 | ||
1.一种用于评估分析光电分层系统的方法,具有如下步骤;
在分层系统中产生电流;
产生分层系统的上表面的位置可分辨的热辐射图像,该图像具有多个像素,给这些像素分别分配强度值;
确定涉及具有相同强度值像素的各自数目的、热辐射强度分布;
从强度分布中确定强度平均值/中位数;
在强度分布杂散的可预定程度的基础上确定强度间隔;
对于所有大于提高了强度间隔的强度平均值/中位数的强度值,通过对具有相同强度值的像素数目与该强度值相乘而分别给出的乘积求和来确定特征数;
特征数或基于此的计算值与预定的基准特征数进行比较,其中如果特征数大于或等于基准特征数,则给分层系统分配第一评估结果,或如果特征数小于基准特征数,则分配第二评估结果。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,光电分层系统包含至少一个形成pn结的半导体层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,通过在pn结的截止和/或流通方向上施加电压在分层系统中产生电流。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,施加具有不同极性和/或不同幅度的电压。
5.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,通过利用光照射分层系统而在分层系统中产生电流。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其特征在于,基于强度分布的平均值/中位数的标准偏差或分位数、特别是四分位数来计算强度间隔。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其特征在于,采用以下方法对特征数进行标准化,亦即:对于强度分布的所有强度,从具有相同强度值像素的数目与该强度值相乘给出的乘积的和中分别得出总特征数,特征数除以总特征数。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,确定特征数和总特征数之间的商作为用于与基准特征数比较的计算值。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,确定特征数和总特征数之间的差作为用于与基准特征数比较的计算值。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法,其特征在于,为分层系统上表面的多个彼此不同部分分别确定特征数。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,这些部分分别包含至少一个用于构造分层系统的结构线。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,形成分隔的部分,其中按照具有结构线的区域和具有单纯光电元件部分的区域进行分隔。
13.根据权利要求1至12中任一项所述方法的应用,所述方法用于评估分析太阳能模块、特别是薄层太阳能模块,这些模块的半导体层包括黄铜矿化合物、特别是Cu(In,Ga)(S,Se)2。
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