[发明专利]在非易失性存储器（NVM）单元中减轻单元间耦合效应

权利要求书

1.一种操作包括多个非易失性存储器（NVM）单元的NVM阵列的方法，该方法包括：

接收有待写入到该非易失性存储器的输入数据；

在该输入数据上执行约束译码以便提供已编码数据；其中该约束译码防止该已编码数据包括禁止值组合；其中基于从在多个NVM单元之间的耦合导致的多个预期单元间耦合感应错误来定义这些禁止值组合；以及

将该已编码数据写入到该非易失性存储器。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该约束译码的执行包括基于多个单元间耦合感应错误的量值防止该已编码数据包括多个禁止值组合；其中读取某一个NVM单元以便提供该某个NVM单元的一个阈值电压的估计；并且其中与某一个NVM单元相关联的一个单元间耦合感应错误的量值表现(a)该某个NVM单元的一个希望阈值（假设没有单元间耦合）与(b)该某个NVM单元的该阈值电压的该估计之间的差。

3.根据权利要求2所述的方法，其中该约束译码的执行包括防止该已编码数据包括禁止值组合，预期这些值导致具有高于一个预定义阈值的量值的一个预期单元间耦合感应错误。

4.根据权利要求3所述的方法，其中预期该禁止值组合中的至少一个值导致具有低于该预定义阈值的量值的一个预期单元间耦合感应错误。

5.根据权利要求2所述的方法，包括将该已编码数据写入到该NVM阵列，同时在不同程序级的至少两对电压阈值分布之间维持一个不均匀缝隙。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在一个第一对程序级的一个第一对电压分布之间的一个缝隙低于在一个第二对程序级的一个第二对电压分布之间的一个缝隙，其中该第一对程序级低于该第二对程序级。

7.根据权利要求1所述的方法，其中这些禁止值组合与多个邻接NVM单元的禁止实际阈值电压组合相对应。

8.根据权利要求1所述的方法，包括：从该NVM阵列读取该已编码数据以便提供读取数据；以及执行该读取数据的一次约束解码以便提供已解码数据。

9.根据权利要求8所述的方法，包括在该读取数据中检测多个禁止值组合，并将该禁止值组合转换成允许值组合。

10.根据权利要求9所述的方法，其中该转换响应于在该已编码数据上的一种预期保持效应。

11.一种用于提供约束代码的代码本的方法，该方法包括：

接收一个单元间耦合感应错误的一个参数的一个可允许值，该单元间耦合感应错误从在多个非易失性存储器（NVM）单元之间的耦合所导致；以及

定义该代码本从而使得基于该参数的该可允许值排除禁止值组合。

12.根据权利要求11所述的方法，其中该参数的该可允许值是一个单元间耦合感应错误的一个最大可允许量值；其中读取某一个NVM单元以便提供该某个NVM单元的一个阈值电压的估计；并且其中与某一个NVM单元相关联的一个单元间耦合感应错误的量值表现(a)该某个NVM单元的一个希望阈值（假设没有单元间耦合）与(b)该某个NVM单元的该阈值电压的该估计之间的差。

13.根据权利要求12所述的方法，包括定义该代码本例如从而使得排除多个禁止值组合，预期这些值导致具有超过该最大可允许量值的量值的一个预期单元间耦合感应错误。

14.根据权利要求12所述的方法，包括定义该代码本从而使得排除至少一个禁止值组合，预期该至少一个禁止值组合导致具有低于该最大可允许量值的量值的一个预期单元间耦合感应错误。

15.根据权利要求12所述的方法，进一步包括定义一个希望阈值-电压范围分配，该希望阈值-电压范围分配包括在不同程序级的至少两对电压阈值分布之间的一个不均匀缝隙。

16.根据权利要求15所述的方法，包括定义在一个第一对程序级的一个第一对电压分布之间的一个缝隙，该缝隙低于在一个第二对程序级的一个第二对电压分布之间的一个缝隙，其中该第一对程序级低于该第二对程序级。

17.根据权利要求15所述的方法，其中这些禁止值组合与多个邻接NVM单元的禁止实际阈值电压组合相对应。