[发明专利]化学机械平坦化垫片切槽的方法有效
申请号: | 201180047328.3 | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN103210473A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 保罗·莱弗瑞;奥斯卡·K·苏;大卫·亚当·韦尔斯;约翰·艾瑞克·埃尔德伯格;马克·C·津;吴光伟;阿努波·马修 | 申请(专利权)人: | 因诺派德公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;阴亮 |
地址: | 美国麻*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 机械 平坦 垫片 方法 | ||
1.形成化学机械平坦化垫片的方法,所述方法包括:
将一种或多种聚合物前体聚合并形成包括表面的化学机械平坦化垫片;
在所述表面内形成槽,在所述槽之间限定平台,其中所述槽具有第一宽度(W1);以及
将所述平台从在所述表面上的第一平台长度(L1)收缩至在所述表面上的第二平台长度(L2),其中所述第二平台长度(L2)小于所述第一平台长度(L1)并且所述槽具有第二宽度(W2),其中(W1)≤(X)(W2),其中(X)在0.01至0.75的数值范围内。
2.如权利要求1所述的方法,其中在所述表面内形成所述槽后收缩所述平台包括进一步将所述聚合物前体聚合。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述槽具有第一深度(D1)并且在收缩后具有第二深度(D2),其中(D1)≤(Y)(D2)并且(Y)在0.80至0.95的数值范围内。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述(L1)>(Z)(L2)并且(Z)在1.1至1.4的数值范围内。
5.如权利要求1所述的方法,其中收缩所述平台包括在110°F至400°F的温度下将所述化学机械平坦化垫片加热一段时间。
6.如权利要求5所述的方法,其中所述收缩所述平台进一步包括在80°F至150°F的温度下将所述化学机械平坦化垫片冷却一定时间。
7.如权利要求1所述的方法,其中所述化学机械平坦化垫片包括至少一个在聚合物基体中的嵌入结构。
8.如权利要求7所述的方法,其中在至少部分的所述聚合物基体中不存在所述嵌入结构并且所述化学机械平坦化垫片包括整合到所述垫片并由不存在所述嵌入结构的部分所述垫片所限定的窗口。
9.如权利要求7所述的方法,其中所述至少一个嵌入结构包括可溶性材料。
10.形成化学机械平坦化垫片的方法,包括:
形成包括表面的化学机械平坦化垫片,其中所述化学机械平坦化垫片通过将聚合物前体聚合至选定的转化度而形成;
在所述化学机械平坦化垫片的所述表面内形成一个或多个槽,其中所述槽具有第一宽度(W1)和第一深度(D1),并且在所述槽之间限定平台;以及
将具有在所述表面内形成的所述槽的所述化学机械平坦化垫片热处理,提高所述转化度并且收缩所述的平台,其中所述槽具有第二宽度(W2)和第二深度(D2),其中所述第二宽度(W2)大于所述第一宽度(W1)而且所述第二深度(D2)大于所述第一深度(D1)。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述平台具有在所述表面上的第一长度(L1)并且收缩之后具有在所述表面上的第二长度(L2),其中所述第二平台长度(L2)小于所述第一平台长度(L1),其中(L1)≥(Z)(L2)并且(Z)在1.1至1.4的数值范围内。
12.如权利要求10所述的方法,其中热处理所述化学机械平坦化垫片包括将所述化学机械平坦化垫片至少部分地浸在液体浴或烘箱中。
13.如权利要求10所述的方法,其中热处理所述化学机械平坦化垫片包括在110°F至400°F的温度下将所述垫片加热10小时或更长的时间段。
14.如权利要求10所述的方法,其中热处理所述化学机械平坦化垫片包括在160°F至190°F的温度下将所述垫片加热16小时至90小时的。
15.如权利要求10所述的方法,其中热处理所述化学机械平坦化垫片包括在80°C至150°C的中间温度下将所述化学机械平坦化垫片冷却10分钟或更长的时间段。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造