[发明专利]ESD保护器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201180047352.7 申请日: 2011-09-27
公开(公告)号: CN103155312A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 稗圃久美子;鹫见高弘;足立淳;浦川淳;筑泽孝之 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01T4/10 分类号: H01T4/10;H01C7/12;H01T1/20;H01T2/02
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张鑫
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: esd 保护 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种ESD保护器件,包括:

相对电极,该相对电极包括隔开间隔、并相对地形成于陶瓷基材的表面上的一侧相对电极和另一侧相对电极;以及

放电辅助电极,该放电辅助电极以分别与构成所述相对电极的所述一侧相对电极和所述另一侧相对电极相接触、并从所述一侧相对电极横跨到所述另一侧相对电极的方式设置,

所述放电辅助电极包含金属粒子、半导体粒子以及玻璃质,

所述金属粒子间、所述半导体粒子间、以及所述金属粒子与所述半导体粒子之间经由所述玻璃质而结合,

所述金属粒子的平均粒径X为1.0μm以上,所述放电辅助电极的厚度Y与所述金属粒子的平均粒径X的关系满足0.5≤Y/X≤3的条件。

2.如权利要求1所述的ESD保护器件,其特征在于,

所述陶瓷基材含有玻璃成分,且在所述放电辅助电极与所述陶瓷基材之间包括密封层,该密封层用于防止玻璃成分从所述陶瓷基材侵入所述放电辅助电极。

3.如权利要求1或2所述的ESD保护器件,其特征在于,

包括保护层,该保护层覆盖所述放电辅助电极的露出面。

4.如权利要求1至3中任一项所述的ESD保护器件,其特征在于,

所述金属粒子为Cu粒子。

5.如权利要求1至4中任一项所述的ESD保护器件,其特征在于,

所述半导体粒子为碳化硅粒子。

6.如权利要求1至5中任一项所述的ESD保护器件,其特征在于,

所述玻璃质由所述金属粒子与所述半导体粒子的反应而产生。

7.一种ESD保护器件的制造方法,其特征在于,包括:

通过在第一陶瓷生片的一个主面上印刷放电辅助电极糊料来形成未烧成的放电辅助电极的工序,该放电辅助电极糊料包含平均粒径为1.0μm以上的金属粒子、半导体粒子以及有机载体,并且,所述金属粒子与所述半导体粒子中的至少一方在其表面上具有玻璃的网状形成成分,且所述金属粒子与所述半导体粒子混合后所占的比例为7体积%~25体积%;

通过在所述第一陶瓷生片的一个主面上印刷相对电极糊料,来形成未烧成的相对电极的工序,该未烧成的相对电极包括分别覆盖所述放电辅助电极的一部分、并以相互隔开间隔的方式设置的一侧相对电极和另一侧相对电极;

在所述第一陶瓷生片的另一个主面上层叠第二陶瓷生片,来形成未烧成的层叠体的工序;以及

对所述层叠体进行烧成,使所述放电辅助电极的所述金属粒子的表面与所述半导体粒子的表面进行反应,从而生成玻璃质的工序。

8.如权利要求7所述的ESD保护器件的制造方法,其特征在于,

所述放电辅助电极所包含的金属粒子是氧化铝涂层的Cu粒子,所述半导体粒子是碳化硅粒子。

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