[发明专利]发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及其形成方法

权利要求书

1.一发光二极管芯片，包含：

一生长基板具有一第一外围边界；以及

一堆叠结构沉积于所述生长基板之上，其中所述堆叠结构包含一第一半导体层、一发光层、及一第二半导体层依序形成于所述生长基板上，且所述堆叠结构进一步具有一第二外围边界，

其中所述发光二极管芯片通过一连结层配置于所述第二半导体层的上表面，及所述连结层与所述第二半导体层的上表面之间的面积比例介于20%～99%，位于该连结层与该第二半导体层间的一接口占该第二半导体层的上表面面积的20-99%，及所述第一外围边界与所述第二外围边界之间的一最小水平距离大于3μm以避免当由所述生长基板上移除所述堆叠结构时发生破裂。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其中所述最小水平距离大于约10μm。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片，进一步包含一保护层配置于所述发光层的侧壁上以及所述第一半导体层的侧壁上。

4.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其中所述保护层进一步配置于所述第二半导体层与所述连结层之间，其中一部分的所述连结层仍与所述第二半导体层直接接触。

5.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其中所述发光二极管芯片具有倾斜的侧壁。

6.如权利要求5所述的发光二极管芯片，其中所述发光二极管芯片的倾斜侧壁向生长基板侧倾斜。

7.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其中所述保护层进一步配置于所述第二半导体层的侧壁上。

8.如权利要求1所述的发光二极管芯片，进一步包含：

一反射层配置于所述第二半导体层与所述连结层之间。

9.一种发光二极管封装结构，包含：

一堆叠结构具有一第一半导体层、一发光层、及一第二半导体层，其中所述发光层位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；

一连结层直接配置于所述第二半导体层之上，其中所述连结层的一第一表面与所述第二半导体层的一第二表面直接接触；以及

一载体基板经由所述连结层与所述堆叠结构结合，其中所述连结层的第一表面的面积小于所述第二半导体层的第二表面的面积。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，进一步包含：

一反射层配置于之间所述连结层与所述载体基板。

11.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其中所述连结层包含：

一第一连结层，与所述载体基板直接接触；以及

一第二连结层，与所述第二半导体层直接接触，其中所述第一连结层与所述第二连结层至少一者具有岛状结构。

12.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其中所述连结层具有一厚度等于或小于50μm。

13.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，进一步包含：

一保护层配置于所述第一半导体层的侧壁及所述发光层的侧壁之上。

14.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其中所述保护层进一步配置于所述第二半导体层的侧壁上。

15.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其中所述载体基板具有多个的凹槽。

16.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其中所述载体基板包含一次基板或一封装基板。

17.一种发光二极管结构，包含：

一载体基板具有一第一表面与一第二表面与所述第一表面对向设置；

一堆叠结构包含一第一半导体层、一发光层、及一第二半导体层配置于所述第一表面之上；

一第一电极配置于所述第一表面上并与所述堆叠结构相隔；

一保护层覆盖所述发光层的侧壁；以及

一导电膜层用以连结所述第一电极与所述堆叠结构，其中所述导电膜层覆盖所述堆叠结构。

18.如权利要求17所述的发光二极管结构，进一步包含：

一静电放电保护单元配置于所述第一电极之下并嵌入所述载体基板中。

19.如权利要求17所述的发光二极管结构，其中所述静电放电保护单元的材料是p型硅。