[发明专利]有机硅的紫外线辐射交联有效

专利信息
申请号: 201180047859.2 申请日: 2011-10-13
公开(公告)号: CN103140299A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: R·E·赖特;M·B·米特拉;J·塞思 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: B05D3/04 分类号: B05D3/04;B05D3/06
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈文平
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 有机硅 紫外线 辐射交联
【权利要求书】:

1.一种制备交联有机硅层的方法,包括:将包括一种或多种非丙烯酸酯化的聚硅氧烷材料的一层组合物涂覆到基底上,并将所述层暴露到具有在惰性气氛中在240nm以下包括至少一个强度峰值的光谱的紫外线辐射。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述紫外线辐射具有在包括端值的180nm和190nm之间包括至少一个强度峰值的光谱。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述紫外线辐射具有在小于180nm时包括至少一个强度峰值的光谱。

4.根据权利要求3所述的方法,其中所述紫外线辐射具有在包括端值的170nm和175nm之间包括至少一个强度峰值的光谱。

5.根据权利要求1所述的方法,其中将所述层暴露于紫外线辐射的步骤包括将所述层暴露于低压汞灯、低压汞混合物灯或二氙准分子灯的辐射输出。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中至少一个所述聚硅氧烷材料是非官能化聚硅氧烷材料。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述聚硅氧烷材料的每个是非官能化聚硅氧烷材料。

8.根据权利要求6或7所述的方法,其中至少一个非官能化聚硅氧烷材料是聚(二烷基硅氧烷)、聚(烷基芳基硅氧烷)或聚(二烷基二芳基硅氧烷)。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中所述聚硅氧烷材料的至少一个是官能化聚硅氧烷材料。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中所述聚硅氧烷材料的每个是官能化聚硅氧烷材料。

11.根据权利要求9或10所述的方法,其中所述官能化聚硅氧烷材料的至少一个选自乙烯基官能化聚硅氧烷材料和硅烷醇官能化聚硅氧烷材料。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法,其中所述组合物包括至少一个非官能化聚硅氧烷材料和至少一个官能化聚硅氧烷材料,其中所述官能化聚硅氧烷材料与所述非官能化聚硅氧烷材料的重量比不大于1∶1。

13.根据权利要求12所述的方法,其中所述官能化聚硅氧烷材料与所述非官能化聚硅氧烷材料的重量比不大于1∶3。

14.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述惰性气氛包括不大于200ppm的氧。

15.根据权利要求14所述的方法,其中所述惰性气氛包括不大于50ppm的氧。

16.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述紫外线辐射源被选为具有这样的光谱,所述光谱在一定波长具有至少一个强度峰值,在所述波长,所述层的吸光度根据比尔定律计算不大于0.5。

17.根据权利要求16所述的方法,其中所述紫外线辐射源被选为具有这样的光谱,所述光谱在一定波长具有至少一个强度峰值,在所述波长,所述层的吸光度根据比尔定律计算在0.3和0.5之间,包括0.3和0.5。

18.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中将所述层涂覆在所述基底上的步骤包括不连续涂布。

19.一种根据前述权利要求中任一项所述的方法制备的交联有机硅层。

20.一种制品,其包括基底和粘附到所述基底的至少一个表面的至少一部分的有机硅层,其中所述有机硅层包括至少一个紫外线辐射交联非丙烯酸酯化的聚硅氧烷材料,其中所述紫外线辐射具有在240nm以下包括至少一个强度峰值的光谱。

21.根据权利要求20所述的制品,其中所述有机硅层包括邻近所述基底的所述至少一个表面的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,其中所述第二表面基本上无氧化。

22.根据权利要求20或21所述的制品,其中所述有机硅层的厚度在0.2和2微米之间。

23.根据权利要求20至22中任一项所述的制品,还包括以可脱开的方式粘附到所述有机硅层的粘合剂。

24.根据权利要求23所述的制品,其中所述粘合剂包括丙烯酸类粘合剂。

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