[发明专利]成膜装置和成膜方法

权利要求书

1.一种成膜装置，其在基材上形成薄膜，其中，

所述成膜装置具有：

真空室，其在内部收容所述基材；

气体供给装置，其向所述真空室内供给成膜气体，该成膜气体含有作为所述薄膜的原料的有机金属化合物、和与该有机金属化合物发生反应的反应气体；

一对电极，其配置在所述真空室内；

等离子体发生用电源，其向所述一对电极外加交流电力，使所述成膜气体的等离子体发生；

控制部，其控制所述气体供给装置及所述等离子体发生用电源的任意一方或两方，切换第一反应条件和第二反应条件，所述第一反应条件是，通过所述有机金属化合物和所述反应气体发生反应、而使含形成所述有机金属化合物的金属元素或半金属元素且不含碳的化合物生成的条件，所述第二反应条件是，通过所述有机金属化合物和所述反应气体发生反应，而使含形成所述有机金属化合物的碳、和金属元素或半金属元素的含碳化合物生成的条件。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

所述控制部其构成为，能够以如下方式控制所述气体供给装置，即，在所述第一反应条件中，使由所述有机金属化合物和所述反应气体生成所述不含碳的化合物的反应中的当量以上的所述反应气体被包含在所述成膜气体中，在所述第二反应条件中，使比生成所述不含碳的化合物的反应中的当量少的所述反应气体被包含在所述成膜气体中。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其中，

所述控制部其构成为，在对于所述气体供给装置、进行所述第一反应条件和所述第二反应条件的切换时，能够使所述成膜气体中所包含的所述反应气体的量连续地变化。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

所述控制部其构成为，能够以如下方式控制所述等离子体发生用电源，即，在所述第一反应条件中，外加使所述不含碳的化合物生成之强度的所述等离子体发生的交流电力，在所述第二反应条件中，外加使所述含碳化合物生成之强度的所述等离子体发生的交流电力。

5.根据权利要求4所述的成膜装置，其中，

所述控制部其构成方式为，在对于所述等离子体发生用电源、进行所述第一反应条件和所述第二反应条件的切换时，能够使所述交流电力的电能量连续地变化。

6.一种成膜装置，其一边连续地搬送长的基材，一边在所述基材上连续地成膜，其中，

所述成膜装置具有：

真空室，其在内部收容所述基材；

搬送装置，其在所述真空室内连续地搬送所述基材；

等离子体发生装置，其在与所搬送的所述基材的一部分重叠的空间使放电等离子体发生；

磁场发生装置，其沿着在所述空间的所述基材的搬送方向，在多处使磁场发生，且在该空间内使等离子体强度有所不同，

所述搬送装置其构成为，在所述空间内，将所述基材平坦地保持且进行搬送。

7.一种成膜方法，其在基材上形成薄膜，其中，

所述成膜方法具有如下工序：

第一工序，其使用在由作为所述薄膜的原料的有机金属化合物、和与该有机金属化合物发生反应的反应气体而使含形成所述有机金属化合物的金属元素或半金属元素且不含碳的化合物生成的反应中的当量以上的所述反应气体，进行等离子体CVD；

第二工序，其使用比生成所述不含碳的化合物的反应中的当量少的所述反应气体，进行使含形成所述有机金属化合物的碳、和金属元素或半金属元素的含碳化合物生成的等离子体CVD。

8.一种成膜方法，其在基材上形成薄膜，其中，

所述成膜方法具有如下工序：

第一工序，其通过由作为所述薄膜的原料的有机金属化合物和与该有机金属化合物反应的反应气体而使含形成所述有机金属化合物的金属元素或半金属元素且不含碳的化合物生成之强度的放电等离子体发生，进行等离子体CVD；

第二工序，其通过使含形成所述有机金属化合物的碳和金属元素或半金属元素的含碳化合物生成之强度的放电等离子体发生，进行等离子体CVD。

9.一种成膜方法，其一边连续地搬送长的基材，一边利用等离子体CVD法在所述基材上连续地成膜，其中，

所述成膜方法具有如下工序：按照沿着所述基材的搬送方向而放电等离子体的强度在空间上有所不同的方式使等离子体放电，按照与所述放电等离子体的强度变化的空间重叠的方式使所平坦保持的所述基材得以搬送。