[发明专利]磁光材料、法拉第转子、及光隔离器

权利要求书

1.一种磁光材料，其特征在于，

其含有99重量％以上的下式(I)所示的氧化物，

(Tb_xR_1-x)₂O₃    (I)

式(I)中，x为0.4≤x≤1.0，R包含选自钪、钇、除铽以外的镧系元素所组成的组中的至少一种的元素。

2.根据权利要求1所述的磁光材料，其中，

波长1.06μm下的费尔德常数为0.18min/(Oe·cm)以上，并且波长1.06μm、光程3mm时的透射率为70％以上，光程3mm时的消光比为25dB以上。

3.根据权利要求1或2所述的磁光材料，其中，

所述式(I)中，R选自钪、钇、镧、铕、钆、镱、钬和镥所组成的组中。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的磁光材料，其含有碱土金属、第11族元素、第12族元素、第13族元素、第14族元素、第15族元素、第16族元素、第4族元素、第5族元素或者第6族元素的氧化物、或者第17族元素的化合物0.00001重量％以上1.0重量％以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的磁光材料，其含有0.00001重量％以上1.0重量％以下的碱土金属的氧化物。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的磁光材料，其为单晶。

7.根据权利要求6所述的磁光材料，其通过选自浮区熔炼法、微下拉法、提拉法、壳熔法、布里奇曼法、伯努利法和EFG法所组成的组中的制造方法而制作。

8.根据权利要求1～5中任一项所述的磁光材料，其为陶瓷。

9.一种波长0.40μm以上1.2μm以下的法拉第转子，其使用了权利要求1～8中任一项所述的磁光材料。

10.一种光隔离器，其在权利要求9所述的法拉第转子的前后配置有偏振材料。