[发明专利]发光材料和使用其的有机发光元件、波长变换发光元件、光变换发光元件、有机激光二极管发光元件、色素激光器、显示装置以及照明装置有效

专利信息
申请号: 201180048369.4 申请日: 2011-10-04
公开(公告)号: CN103154189A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 冈本健;大江昌人;藤田悦昌;近藤克己 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: C09K11/06 分类号: C09K11/06;H01L51/50;H05B33/12;H05B33/24
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 材料 使用 有机 元件 波长 变换 激光二极管 色素 激光器 显示装置 以及 照明 装置
【权利要求书】:

1.一种发光材料,其特征在于:

包含过渡金属配位化合物,该过渡金属配位化合物具有至少1个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的p轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。

2.如权利要求1所述的发光材料,其特征在于:

所述过渡金属配位化合物的中心金属为选自Ir、Os、Pt、Ru、Rh和Pd中的1种金属。

3.如权利要求1所述的发光材料,其特征在于:

所述配位体具有选自碳烯、硅烯、锗烯、锡烯、硼烯、铅烯和氮烯中的骨架。

4.如权利要求1所述的发光材料,其特征在于:

所述配位体在骨架中含有选自B、Al、Ga、In和Tl中的1种元素。

5.如权利要求1所述的发光材料,其特征在于:

所述与金属配位的元素为碳原子,

所述位于最外层的p轨道的电子密度为通过所述量子化学计算算出的最高占有轨道中的2p轨道上的电子密度。

6.如权利要求1所述的发光材料,其特征在于:

所述配位体具有碳烯骨架。

7.如权利要求1所述的发光材料,其特征在于:

所述配位体为在骨架中具有硼原子的碳烯配位体。

8.如权利要求6所述的发光材料,其特征在于:

所述碳烯骨架具有芳香族性的部位。

9.如权利要求1所述的发光材料,其特征在于:

所述过渡金属配位化合物为铱配位化合物。

10.如权利要求1所述的发光材料,其特征在于:

所述过渡金属配位化合物为配位有3个双齿配位体的三体,含有的mer体(meridional:经式异构体)比fac体(facial:面式异构体)多。

11.如权利要求9所述的发光材料,其特征在于:

所述铱配位化合物具有至少1个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的p轨道的电子密度大于0.239且为0.263以下的配位体。

12.一种有机发光元件,其特征在于,具有:

包含发光层的至少一层有机层;和

夹持所述有机层的一对电极,

所述有机层含有发光材料,

所述发光材料包含过渡金属配位化合物,该过渡金属配位化合物具有至少1个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的p轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。

13.如权利要求12所述的有机发光元件,其特征在于:

所述发光材料含有在所述发光层中。

14.一种波长变换发光元件,其特征在于,具备:

有机发光元件;和

荧光体层,该荧光体层配置在所述有机发光元件的取出光的面侧,构成为吸收来自所述有机发光元件的发光,进行与吸收光不同的波长的发光,

所述有机发光元件具有:包含发光层的至少一层有机层;和夹持所述有机层的一对电极,

所述有机层含有发光材料,

所述发光材料包含过渡金属配位化合物,该过渡金属配位化合物具有至少1个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的p轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。

15.一种波长变换发光元件,其特征在于,具备:

发光元件;和

荧光体层,该荧光体层配置在该发光元件的取出光的面侧,构成为吸收来自所述发光元件的发光,进行与吸收光不同的波长的发光,

所述荧光体层含有发光材料,

所述发光材料包含过渡金属配位化合物,该过渡金属配位化合物具有至少1个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的p轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。

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