[发明专利]光电子半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.光电子半导体器件，所述光电子半导体器件具有光源、壳体和电端子，其中所述光源具有芯片，所述芯片发射UV或蓝色的初级辐射，所述初级辐射的波长峰值尤其位于300nm至490nm的范围中，其中所述初级辐射部分地或完全地通过之前安装的转换元件而转换成其他波长的辐射，其特征在于，所述转换元件具有半透明的或透明的基底，所述基底由陶瓷或玻璃陶瓷制成，其中所述基底施加有玻璃基体，在所述玻璃基体中嵌入有发光材料。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其特征在于，所述玻璃基体施加在所述基底上作为层。

3.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其特征在于，所述基底具有孔，所述玻璃基体至少部分地被引入到所述孔中。

4.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其特征在于，所述基底和所述玻璃基体形成层压层。

5.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其特征在于，所述玻璃基体同时用作为用于芯片和转换元件的复合结构的粘结剂或用于两个转换元件的复合结构的粘结剂。

6.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其特征在于，所述玻璃基体是少气泡的或是基本上不含气泡的。

7.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其特征在于，所述基底自身部分地或完全地是发荧光的。

8.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其特征在于，所述基底在两侧上施加有玻璃基体。

9.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其特征在于，所述转换元件借助于粘接剂固定在所述芯片上或与所述芯片间隔地安装。

10.用于制造用于根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件的转换元件的方法，其特征在于，在第一步骤中提供基底，所述基底由陶瓷或玻璃陶瓷制成，随后在第二步骤中将玻璃尤其作为玻璃粉末或熔化的玻璃施加到所述基底上，其中发光材料连同玻璃一起施加，或者随后将发光材料引入到所述玻璃中。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述第二步骤中层压玻璃层，尤其通过丝网印刷玻璃质的粉末及随后进行玻璃化或通过将熔化的玻璃直接地拉到所述基底上来层压玻璃层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，紧接着将所述发光材料通过丝网印刷或喷射法施加到所述玻璃层上，并且随后将所述转换元件加热至使得所述玻璃被略微加热，以至于所述发光材料沉入到所述玻璃中并且由所述玻璃包围。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述第二步骤中层压玻璃层，所述玻璃层尤其通过丝网印刷预先与发光材料粉末混合的玻璃质的粉末及随后进行玻璃化而已经设有发光材料。

14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述第二步骤中通过渗透产生玻璃基体，其中预先烧结所述基底，使得所述基底含有大的孔，其中使所述玻璃是足够易流动，使得通过毛细作用将所述玻璃拉到所述基底的所述孔中。