[发明专利]硅锭制造用容器有效

专利信息
申请号: 201180048725.2 申请日: 2011-10-03
公开(公告)号: CN103124693A 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: 吉泽彰;清水孝幸;朝日聪明 申请(专利权)人: 吉坤日矿日石金属株式会社
主分类号: C01B33/02 分类号: C01B33/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 肖日松;杨楷
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 制造 容器
【权利要求书】:

1.一种硅锭制造用容器,为用于使硅熔融液凝固而使多晶硅生长的硅锭制造用容器,其特征在于,

在由氮化硅或碳化硅的多孔体构成的容器本体的内表面,形成有由氮化硅构成的脱模材料。

2.根据权利要求1所述的硅锭制造用容器,其特征在于,所述多孔体的开口气孔率为10%以上40%以下。

3.根据权利要求1所述的硅锭制造用容器,其特征在于,所述多孔体的开口气孔率为20%以上30%以下。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的硅锭制造用容器,其特征在于,由所述氮化硅的多孔体构成的容器本体的金属杂质(Fe、Al、Mn、Mg、Ca、Cu、Ti、Cr、Ni、W、V、Zn、Zr)分别为1000ppm以下。

5.根据权利要求4所述的硅锭制造用容器,其特征在于,由所述氮化硅的多孔体构成的容器本体的金属杂质(Fe、Al、Mn、Mg、Ca、Cu、Ti、Cr、Ni、W、V、Zn、Zr)分别为10ppm以下。

6.根据权利要求1至3中的任一项所述的硅锭制造用容器,其特征在于,由所述碳化硅的多孔体构成的容器本体的金属杂质(Fe、Al、Mn、Mg、Ca、Cu、Ti、Cr、Ni、W、V、Zn、Zr)分别为100ppm以下。

7.根据权利要求6所述的硅锭制造用容器,其特征在于,由所述碳化硅的多孔体构成的容器本体的金属杂质(Fe、Al、Mn、Mg、Ca、Cu、Ti、Cr、Ni、W、V、Zn、Zr)分别为10ppm以下。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的硅锭制造用容器,其特征在于,所述脱模剂的厚度为300至1000μm。

9.根据权利要求8所述的硅锭制造用容器,其特征在于,所述脱模剂的厚度为350至600μm。

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