[发明专利]硅锭制造用容器有效
申请号: | 201180048725.2 | 申请日: | 2011-10-03 |
公开(公告)号: | CN103124693A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 吉泽彰;清水孝幸;朝日聪明 | 申请(专利权)人: | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
主分类号: | C01B33/02 | 分类号: | C01B33/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 肖日松;杨楷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 容器 | ||
1.一种硅锭制造用容器,为用于使硅熔融液凝固而使多晶硅生长的硅锭制造用容器,其特征在于,
在由氮化硅或碳化硅的多孔体构成的容器本体的内表面,形成有由氮化硅构成的脱模材料。
2.根据权利要求1所述的硅锭制造用容器,其特征在于,所述多孔体的开口气孔率为10%以上40%以下。
3.根据权利要求1所述的硅锭制造用容器,其特征在于,所述多孔体的开口气孔率为20%以上30%以下。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的硅锭制造用容器,其特征在于,由所述氮化硅的多孔体构成的容器本体的金属杂质(Fe、Al、Mn、Mg、Ca、Cu、Ti、Cr、Ni、W、V、Zn、Zr)分别为1000ppm以下。
5.根据权利要求4所述的硅锭制造用容器,其特征在于,由所述氮化硅的多孔体构成的容器本体的金属杂质(Fe、Al、Mn、Mg、Ca、Cu、Ti、Cr、Ni、W、V、Zn、Zr)分别为10ppm以下。
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的硅锭制造用容器,其特征在于,由所述碳化硅的多孔体构成的容器本体的金属杂质(Fe、Al、Mn、Mg、Ca、Cu、Ti、Cr、Ni、W、V、Zn、Zr)分别为100ppm以下。
7.根据权利要求6所述的硅锭制造用容器,其特征在于,由所述碳化硅的多孔体构成的容器本体的金属杂质(Fe、Al、Mn、Mg、Ca、Cu、Ti、Cr、Ni、W、V、Zn、Zr)分别为10ppm以下。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的硅锭制造用容器,其特征在于,所述脱模剂的厚度为300至1000μm。
9.根据权利要求8所述的硅锭制造用容器,其特征在于,所述脱模剂的厚度为350至600μm。
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