[发明专利]离子束分布

权利要求书

1.一种方法，包括：

利用具有基本上椭圆形的孔图案的栅格组件使多个离子子束转向以产生离子束，其中所述离子束的横截面的离子流密度剖面基本上是非椭圆的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述多个离子子束转向的步骤进一步包括利用所述栅格组件的第一栅格和第二栅格中的相应孔之间的偏置来使所述多个子束转向。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述多个离子子束转向的步骤进一步包括以转向角的椭圆形非对称分布从所述栅格组件推进所述多个离子子束。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子束的所述横截面的所述离子流密度剖面关于所述横截面的两个正交轴中的一个对称。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述离子束的所述横截面的所述离子流密度剖面关于所述横截面的所述两个正交轴中的另一个非对称。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将产生所述多个离子子束的离子源朝向目标工件的中心引导，其中，所述离子束的所述横截面的所述离子流密度剖面具有相对于所述目标工件的所述中心偏离的单峰。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将所述离子束引导于转动的目标工件上以在与所述目标工件的所述中心等距的每个点上产生基本上均匀的旋转平均离子流密度；

其中，所述目标工件的由所述离子束产生的在离所述目标工件的所述中心的径向距离的至少50%内沿每个径向方向上的旋转平均磨损深度是最大磨损深度的至少50%。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述目标工件的由所述离子束产生的在远离所述目标工件的所述中心的至少90%的每个径向距离处在每个径向方向上的所述旋转平均磨损深度小于最大磨损深度的20%。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述目标工件的所述磨损深度的斜率远离所述目标工件的所述中心在每个径向方向上非单调地递减。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，使所述多个子束转向的步骤包括使所述多个子束转向，从而使得所述离子束具有一横截面离子流密度剖面以使得与所述目标工件的所述中心等距的每个点处的磨损深度都基本上一致。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子束的所述横截面的所述离子流密度剖面具有两个峰，其中，所述两个峰中的每一个分别位于所述横截面的两个正交轴中的一个的相对侧上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，对于所述流密度剖面中的至少一部分来说，所述横截面的所述离子流密度剖面具有基本上为零的离子流密度。

13.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将所述离子束引导于所述目标工件上，其中，所述目标工件是溅射工件。

14.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将所述离子束引导于所述目标工件上，其中，所述目标工件是衬底蚀刻工件。

15.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将所述离子束引导于所述目标工件上，其中，所述目标工件是离子注入工件。

16.根据权利要求1所述的方法，进一步将所述离子束引导于所述目标工件上，其中，所述目标工件是离子沉积工件。

17.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将所述离子束引导于所述目标工件上，其中，所述目标工件是离子束辅助沉积工件。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述多个子束转向的步骤进一步包括利用所述栅格组件的屏栅格和加速栅格来使所述多个子束转向。

19.一种溅射羽流，通过将权利要求1所述的离子束引导至溅射工件而产生。

20.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基本上椭圆形的孔图案是基本上圆形的。

21.一种离子束系统，包括：

离子束源，适于产生多个子束；以及

具有基本上椭圆形的孔图案的转向结构，所述转向结构适于使多个子束转向以便产生离子束；

其中，所述第一离子束的横截面的离子流密度剖面是基本上非椭圆的。

22.根据权利要求21所述的离子束系统，其中，所述转向结构包括多个栅格。