[发明专利]提供子束转向的栅格

权利要求书

1.一种方法，包括：

以转向角的椭圆形非对称分布从具有基本上椭圆形的孔图案的第一栅格推进多个离子子束。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

朝向具有基本上椭圆形的孔图案的第二栅格推进所述多个离子子束，其中，通过使所述第二栅格中的孔相对于所述第一栅格中的相应孔偏置来实现每个转向角。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

将所述第一栅格定位在放电室下游；

将所述第二栅格定位在所述第一栅格下游，其中，所述第二栅格的第一孔相对于所述第一栅格的相应第一孔偏置，并且所述第一偏置产生第一离子子束的第一预定转向角，且所述第二栅格的第二孔相对于所述第一栅格的相应第二孔偏置，并且所述第二偏置产生第二离子子束的第二预定转向角，并且在离所述第二栅格的中心的一半径处，所述第一预定转向角不同于所述第二预定转向角。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：

将具有基本上椭圆形的孔图案的第三栅格定位在所述第二栅格的下游，其中，所述第一离子子束通过所述第三栅格的第一孔，并且所述第二离子子束通过所述第三栅格的第二孔。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一栅格具有与所述多个离子子束的各个离子的电荷极性相同的施加电压极性，并且所述第二栅格具有与所述多个离子子束的各个离子的电荷极性相反的施加电压极性。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第三栅格具有基本上中性的电荷。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一预定转向角取决于所述第一栅格的所述第一孔的中心轴线与所述第二栅格的所述第一孔的中心轴线之间的距离，并且所述第二预定转向角取决于所述第一栅格的所述第二孔的中心轴线与所述第二栅格的所述第二孔的中心轴线之间的距离。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一预定转向角和所述第二预定转向角取决于施加于所述第一栅格和所述第二栅格的电压的差。

9.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一预定转向角β1根据以下公式推导得出：

β1≡(-λ1/4ηg1)(1-(E2/E1))，

并且所述第二预定转向角β2根据以下公式推导得出：

β2≡(-λ2/4ηg1)(1-(E2/E1))，

并且λ1是所述第一栅格的所述第一孔的中心轴线与所述第二栅格的所述第一孔的中心轴线之间的距离，

并且λ2是所述第一栅格的所述第二孔的中心轴线与所述第二栅格的所述第二孔的中心轴线之间的距离，

并且E1是（施加给所述第一栅格的电压-施加给所述第二栅格的电压）/ηg1，

并且E2是（施加给所述第二栅格的电压-施加给所述第三栅格的电压）/ηg2，

并且ηg1是所述第一栅格与所述第二栅格之间的距离，

并且ηg2是所述第二栅格与所述第三栅格之间的距离。

10.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

将具有基本上椭圆形的孔图案的所述第四栅格定位在所述第二栅格与所述第三栅格之间，其中，所述第四栅格的第一孔相对于所述第二栅格的所述第一孔偏置，并且进一步使所述第一离子子束以第一后续预定转向角转向，且所述第四栅格的第二孔相对于所述第二栅格的所述第二孔偏置，并且进一步使所述第二离子子束以第二后续预定转向角转向。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第四栅格具有与所述第一和第二离子子束的各个离子的电荷极性相反的施加电压极性。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一预定转向角和所述第一后续预定转向角的总和允许实现比所述第一预定转向角大的第一最大转向角，且所述第二预定转向角和所述第二后续预定转向角的总和允许实现比所述第二预定转向角大的第二最大转向角。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述转向角的分布中，相对于栅格半径的空间变化在所述栅格组件的半径上是非单调的。

14.根据权利要求2所述的方法，其中，通过使至少所述第二栅格的表面呈盘形来实现每个转向角。