[发明专利]制造三维结构存储元件的方法及装置

权利要求书

1.一种三维结构存储元件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在基底上交替层叠一个以上绝缘层和一个以上牺牲层的步骤；

形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的贯通孔的步骤；

形成填充所述贯通孔的图形的步骤；

形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的开口的步骤；以及

通过所述开口供给蚀刻剂而去除所述牺牲层的步骤，

其中，所述层叠绝缘层的步骤包括向所述基底供给选自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀群中的一种以上气体而蒸镀第一氧化硅膜的步骤，

所述层叠牺牲层的步骤包括向所述基底供给二氯硅烷（SiCl₂H₂）而蒸镀第二氧化硅膜的步骤。

2.权利要求1所述的三维结构存储元件的制造方法，其特征在于，所述绝缘层和所述牺牲层对所述蚀刻剂具有刻蚀选择比，所述牺牲层的蚀刻率为所述绝缘层的蚀刻率的五倍至三百倍以上。

3.权利要求1或2所述的三维结构存储元件的制造方法，其特征在于，所述蚀刻剂包含HF或者BOE中的任意一个。

4.权利要求1或2所述的三维结构存储元件的制造方法，其特征在于，所述层叠绝缘层的步骤进一步包括供给基于乙基的气体的步骤，所述第一氧化硅膜为SiCO。

5.权利要求1或2所述的三维结构存储元件的制造方法，其特征在于，所述层叠绝缘层的步骤进一步包括供给基于甲基的气体的步骤，所述第一氧化硅膜为SiCO。

6.权利要求1或2所述的三维结构存储元件的制造方法，其特征在于，所述基底的温度保持在300至790度，所述基底的加工压力保持在10mTorr至250Torr。

7.权利要求1或2所述的三维结构存储元件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化硅膜和所述第二氧化硅膜具有互相不同的厚度。

8.权利要求1所述的三维结构存储元件的制造方法，其特征在于，所述交替层叠绝缘层和牺牲层的步骤进一步包括通过环形边对所述基底的边缘部施压的步骤。

9.权利要求8所述的三维结构存储元件的制造方法，其特征在于，所述基底的边缘部相当于从所述基底的边缘向所述基底的内侧0.5mm-3mm的范围。

10.权利要求8或9所述的三维结构存储元件的制造方法，其特征在于，所述环形边为陶瓷材料。

11.一种三维结构存储元件的制造方法，其特征在于，

所述方法包括：

在基底上交替层叠一个以上绝缘层和一个以上牺牲层的步骤；

形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的贯通孔的步骤；

形成填充所述贯通孔的图形的步骤；

形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的开口的步骤；以及

通过所述开口供给蚀刻剂而去除所述牺牲层的步骤，

其中，所述层叠绝缘层的步骤包括向所述基底供给选自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀群中的一种以上气体而蒸镀第一氧化硅膜的步骤，

所述层叠牺牲层的步骤包括向所述基底供给选自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀、二氯硅烷（SiCl₂H₂）群中的一种以上气体和选自B₂H₆、PH₃群中的一种以上气体而蒸镀注入有硼或者磷的第二氧化硅膜的步骤。