[发明专利]Ag-Au-Pd三元合金接合线有效
| 申请号： | 201180049000.5 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103155130A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 千叶淳;手岛聪;小林佑;安德优希 | 申请（专利权）人： | 田中电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C22C5/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王旭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ag au pd 三元 合金 接合 | ||
1.一种用于半导体装置的Ag-Au-Pd三元合金接合线，所述接合线由具有99.99质量％以上的纯度的银(Ag)、具有99.999质量％以上的纯度的金(Au)和具有99.99质量％以上的纯度的钯(Pd)制成，所述线由4-10质量％的所述金(Au)、2-5质量％的所述钯(Pd)、15-70质量ppm的氧化性非贵金属元素和余量％的所述银(Ag)组成，并且所述线在通过模具连续拉伸之前被热退火至少一次，并且所述线在通过所述模具连续拉伸之后被热回火，并且所述线适用于在氮氛中球焊。
2.如权利要求1所述的用于半导体装置的Ag-Au-Pd三元合金接合线，其特征在于所述线含有6-9质量％的所述金(Au)和3-5质量％的所述钯(Pd)。
3.如权利要求1所述的用于半导体装置的Ag-Au-Pd三元合金接合线，其特征在于所述氧化性非贵金属元素包括钙(Ca)。
4.如权利要求1所述的用于半导体装置的Ag-Au-Pd三元合金接合线，其特征在于所述氧化性非贵金属元素包括稀土元素。
5.如权利要求1所述的用于半导体装置的Ag-Au-Pd三元合金接合线，其特征在于所述氧化性非贵金属元素包括镧(La)。
6.如权利要求1所述的用于半导体装置的Ag-Au-Pd三元合金接合线，其特征在于所述线被热退火两次以上。
7.如权利要求1所述的用于半导体装置的Ag-Au-Pd三元合金接合线，其特征在于所述热退火在比进行所述热回火的温度高的温度进行。
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