[发明专利]包含具有确定的噻吩类单体含量的聚噻吩的分散体

权利要求书

1.一种制备包含聚噻吩的组合物的方法，其包括如下方法步骤：

I)提供包含噻吩类单体和氧化剂的组合物Z1；

II)通过将所述氧化剂还原成还原产物并将所述噻吩类单体氧化而氧化聚合所述噻吩类单体，从而形成包含聚噻吩和所述还原产物的组合物Z2；

III)从在方法步骤II)中获得的组合物Z2中至少部分移除所述还原产物以获得组合物Z3；

其中确保在方法步骤III)结束之后，组合物Z3中的未聚合噻吩类单体的含量为1-100ppm，基于组合物Z3的总重量。

2.根据权利要求1的方法，其中在方法步骤III)结束之后，组合物Z3中的未聚合噻吩类单体的含量为3-50ppm，基于组合物Z3的总重量。

3.根据权利要求1或2的方法，其中在方法步骤III)结束之后，组合物Z3中的未聚合噻吩类单体的含量为5-30ppm，基于组合物Z3的总重量。

4.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述噻吩类单体为3,4-乙撑二氧噻吩(EDT)且所述聚噻吩为聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)。

5.根据前述权利要求中任一项的方法，其中除所述噻吩类单体和所述氧化剂之外，在方法步骤I)中提供的溶液还包含聚阴离子。

6.根据权利要求5的方法，其中所述聚阴离子为聚苯乙烯磺酸(PSS)。

7.根据前述权利要求中任一项的方法，其中在方法步骤III)中获得的组合物Z3为PEDOT/PSS分散体。

8.根据前述权利要求中任一项的方法，其中在方法步骤I)中，所述氧化剂：

a)在氧化剂每分子吸收一个电子的情况下，以小于2.33:1的氧化剂：噻吩类单体摩尔比使用；

b)在氧化剂每分子吸收两个电子的情况下，以小于1.16:1的氧化剂：噻吩类单体摩尔比使用。

9.根据前述权利要求中任一项的方法，其中在方法步骤III)中至少部分移除所述还原产物通过用离子交换剂处理组合物Z2而进行。

10.一种可使用根据前述权利要求中任一项的方法以组合物Z3获得的组合物。

11.包含聚噻吩的组合物，其中所述组合物除所述聚噻吩之外，还包含1-100ppm的所述聚噻吩所基于的噻吩类单体，基于所述组合物的总重量。

12.根据权利要求11的组合物，其中所述组合物包含3-50ppm的所述聚噻吩所基于的噻吩类单体，基于所述组合物的总重量。

13.根据权利要求11的组合物，其中所述组合物包含5-30ppm的所述聚噻吩所基于的噻吩类单体，基于所述组合物的总重量。

14.根据权利要求11-13中任一项的组合物，其中所述组合物包含小于500ppm的无机阴离子，基于所述组合物的总重量。

15.根据权利要求11-14中任一项的组合物，其中所述聚噻吩为聚(3,4-乙撑二氧噻吩)且所述噻吩类单体为3,4-乙撑二氧噻吩。

16.根据权利要求11-15中任一项的组合物，其中所述组合物除所述聚噻吩之外，还包含聚阴离子。

17.根据权利要求16的组合物，其中所述聚阴离子为聚苯乙烯磺酸。

18.根据权利要求11-17中任一项的组合物，其中所述组合物为PEDOT/PSS分散体。

19.根据权利要求11-18中任一项的组合物，其中所述组合物具有至少一种下述性质：

i)根据本文所述的测试方法测得的电导率为至少500S/cm；

ii)PEDOT/PSS含量为0.8-2重量%，基于所述组合物的总重量。

20.一种层结构体，其包括：

A)具有基材表面的基材，和

B)至少部分覆盖所述基材表面的层，

其中所述层由根据权利要求10-19中任一项的组合物中所含的固体形成。

21.根据权利要求20的层结构体，其中层B)具有如下性质：

B1)所述层的内透射率大于80%；

B2)所述层的电导率为至少500S/cm。