[发明专利]穿孔石墨去离子或脱盐

权利要求书

1.对携带无用离子的水进行去离子的方法，所述方法包括如下步骤：

提供具有被选择为允许水分子通过并禁止所述无用离子中的被选择的一种离子通过的多个孔洞的第一石墨片以产生穿孔石墨片；

对所述携带无用离子的水加压以产生加压的水；

将所述加压的水施加至所述穿孔石墨片的第一表面，使得水分子优先于离子流动至所述穿孔石墨片的第二侧；以及

从所述穿孔石墨片的第二侧收集所述水分子。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述无用离子中的被选择的一种离子为氯，并且用于禁止氯离子通过的所述孔洞标称地为9纳米。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述孔洞标称地间隔十五纳米。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述无用离子中的被选择的一种离子为钠，并且用于禁止钠离子通过的所述孔洞标称地为6纳米。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述孔洞标称地间隔十五纳米。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述无用离子中的被选择的一种离子为氯，并且用于禁止氯离子通过的所述孔洞标称地为12纳米。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述孔洞标称地间隔十五纳米。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括加固所述穿孔石墨片的步骤。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述加固步骤包括加衬垫的步骤。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述加衬垫的步骤包括通过网格加衬垫的步骤。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述网格的材料为聚四氟乙烯。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供具有被选择为允许水分子通过并禁止所述无用离子中的被选择的一种离子通过的多个孔洞的第一石墨片以产生穿孔石墨片的步骤包括以下步骤：

将氧化剂施加至所述石墨片的至少一部分以产生所述孔洞。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括以下步骤：

在施加氧化剂之前，遮蔽所述石墨的不需要所述孔洞的部分。

14.对携带无用离子的水进行去离子的方法，所述方法包括：

提供被多个孔洞贯穿的第一穿孔石墨片，所述多个孔洞的直径被选择为禁止所述无用离子中的被选择的第一种离子通过并允许载有所述无用离子中的被选择的第二中离子的水分子通过；

提供被多个孔洞贯穿的第二穿孔石墨片，所述多个孔洞被选择为允许水分子通过并禁止所述无用离子中的被选择的第二中离子通过，所述第二穿孔石墨片的孔洞在直径上小于所述第一穿孔石墨片的孔洞；

将所述第一穿孔石墨片和所述第二穿孔石墨片并列放置以形成并置片，所述并置片具有由所述第一穿孔石墨片限定的第一侧、由所述第二穿孔石墨片限定的第二侧、以及供液体在所述第一侧与所述第二侧之间流动的路径；以及

从所述并置片的第二侧收集名义上去离子的水分子。

15.根据权利要求14所述的方法，其中提供第一穿孔石墨片和提供第二穿孔石墨片的步骤均包括将氧化剂施加至未穿孔的石墨片的表面的步骤。

16.水去离子装置，包括：

被孔洞贯穿的石墨片，所述孔洞的尺寸被设置为允许水分子流过并禁止特定类型的离子流过；

载有所述特定类型的离子的水的源；以及

用于载有所述特定类型的离子的水的流穿过被孔洞贯穿的所述石墨片的路径。

17.根据权利要求16所述的去离子装置，还包括清除布置，所述清除布置联接至用于所述流的所述路径，用于将所述流从所述被孔洞贯穿的石墨片转移走。