[发明专利]用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备

权利要求书

1.一种等离子体处理腔室气体喷嘴，所述气体喷嘴包括：

至少一个入口孔，所述至少一个入口孔具有第一直径，所述至少一个入口孔凹入至所述气体喷嘴的上游侧中，以及

至少一个出口孔，所述至少一个出口孔具有小于所述第一直径的第二直径，所述至少一个出口孔凹入至所述气体喷嘴的下游侧中且实体接合至入口孔，其中所述第二直径为800μm或更小。

2.如权利要求1所述的气体喷嘴，其特征在于，所述第二直径介于250μm与500μm之间。

3.如权利要求1所述的气体喷嘴，其特征在于，所述至少一个出口孔具有至少五倍于所述第二直径的凹入深度。

4.如权利要求1所述的气体喷嘴，其特征在于，所述气体喷嘴进一步包括：

多个入口孔，所述多个入口孔凹入至所述气体喷嘴的上游侧中，每一入口孔具有第一直径；

多个出口孔，所述多个出口孔凹入至所述气体喷嘴的下游侧中，且所述多个出口孔布置成多个子集，其中出口孔的每一子集接合至所述多个入口孔中的一个入口孔。

5.如权利要求4所述的气体喷嘴，其特征在于，出口孔的每一子集包括至少三个出口孔。

6.如权利要求4所述的气体喷嘴，其特征在于，所述子集中的所述出口孔中的每一个具有一直径，所述直径经定尺寸以使得出口孔的所述子集在所述气体喷嘴的所述下游侧上占据一区域，所述区域不大于所述所接合入口孔在所述气体喷嘴的所述上游侧上占据的区域。

7.一种等离子体蚀刻系统，所述等离子体蚀刻系统包括：

腔室，用以在等离子体环境中容纳工件；

气体棒，所述气体棒耦接至所述腔室以经由气体喷嘴提供工艺气体，所述气体喷嘴进一步包括：

至少一个入口孔，所述至少一个入口孔具有第一直径，所述至少一个入口孔凹入至所述气体喷嘴的上游侧中，以及

至少一个出口孔，所述至少一个出口孔具有小于所述第一直径的第二直径，所述至少一个出口孔凹入至所述气体喷嘴的下游侧中且实体接合至一个入口孔，其中所述第二直径为800μm或更小；以及RF源，用以产生所述工艺气体的等离子体。

8.如权利要求7所述的等离子体蚀刻系统，其特征在于，所述第二直径介于250μm与500μm之间。

9.如权利要求7所述的等离子体蚀刻系统，其特征在于，所述出口孔经安置而使得所述腔室处于夹盘表面正上方，所述夹盘表面在所述等离子体蚀刻系统的操作期间支撑工件，且其中所述气体喷嘴的所述下游侧与所述夹盘表面大体上平行。

10.一种等离子体处理方法，所述方法包括以下步骤：

利用第一等离子体工艺将包括SiO_x的涂层沉积至腔室表面上；

利用第二等离子体工艺在所述等离子体腔室中蚀刻工件；

从所述腔室移除所述工件；以及

在移除所述工件之后利用第三等离子体工艺执行所述腔室表面的清洁，其中所述第三等离子体工艺包括低压等离子体清洁，所述低压等离子体清洁利用包含NF₃的第一工艺气体及不大于30mT的工艺压力。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述低压等离子体清洁处于不大于10mT的工艺压力下，并且其中所述第一工艺气体基本上由NF₃组成。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第三等离子体工艺进一步包括高压等离子体清洁，所述高压等离子体清洁在不小于100mT的工艺压力下利用第二工艺气体，所述第二工艺气体包含NF₃。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，执行所述高压清洁直至达成终点标准为止，所述终点标准指示含碳聚合物已从腔室移除，且其中在所述高压清洁之后执行所述低压清洁达预定时控持续时间。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第二工艺气体包含Cl₂和O₂二者，并且所述第一工艺气体不包含Cl₂或O₂。

15.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一等离子体工艺包括产生至少SiCl₄及O₂的等离子体，且其中所述涂层包括SiO_xCl_y。