[发明专利]半导体接合结构体和半导体接合结构体的制造方法有效
| 申请号： | 201180049406.3 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103155127A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 中村太一;古泽彰男;酒谷茂昭;北浦秀敏;石丸幸宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;B23K1/00;H05K3/34;B23K35/26;C22C13/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 冯雅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 接合 结构 制造 方法 | ||
1.一种半导体接合结构体，该半导体接合结构体是在基板电极上依次积层含有Sn的第一金属互化物层、由含有Sn的第三金属互化物部和含有Sn的相构成的第三层、以及含有Sn的第二金属互化物层，然后载置半导体元件的电极而形成的半导体接合结构体；
所述第一金属互化物层和所述第二金属互化物层具有以所述第三金属互化物部进行层间接合的一部分。
2.如权利要求1所述的半导体接合结构体，其特征在于，所述第三金属互化物部呈现棒状的形态。
3.如权利要求1所述的半导体接合结构体，其特征在于，所述第一金属互化物层是由Cu-Sn构成的金属互化物构成；
所述第二金属互化物层是由Cu-Sn构成的金属互化物构成；
所述第三金属互化物部是由Au-Sn或Ag-Sn构成的金属互化物构成；
所述含有Sn的相是含有Au或Ag的构成。
4.如权利要求1所述的半导体接合结构体，其特征在于，所述第一金属互化物层是由Ag-Sn构成的金属互化物构成；
所述第二金属互化物层是由Ag-Sn构成的金属互化物构成；
所述第三金属互化物部是由Au-Sn构成的金属互化物构成；
所述含有Sn的相是含有Au或Ag的构成。
5.一种半导体接合结构体的制造方法，包括
半导体元件表面的金属膜形成工序：在半导体元件的电极表面形成金属膜，该金属膜是与Sn形成金属互化物的金属膜；
电极表面的金属膜形成工序：在基板电极表面形成金属膜，该金属膜是与Sn形成金属互化物的金属膜；
接合工序：在使形成有所述金属膜的半导体元件的电极面和形成有所述金属膜的基板电极的面相对，以含有Sn的焊锡材料将相对的面之间进行接合时，通过所述含有Sn的焊锡材料所形成的第三金属互化物部将形成在所述基板电极的面上的第一金属互化物层和形成在所述半导体元件的电极面上的第二金属互化物层进行一部分层间接合。
6.如权利要求5所述的半导体接合结构体的制造方法，其特征在于，形成在所述半导体元件的表面的金属膜的材料为Ag和/或Cu；
形成在所述电极的表面的金属膜的材料为Au和/或Ag；
所述含有Sn的焊锡材料为Sn－3wt%Ag－0.5wt%Cu。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
