[发明专利]封装电子装置的方法有效
申请号: | 201180049543.7 | 申请日: | 2011-07-27 |
公开(公告)号: | CN103270618A | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | K.凯特-特尔金布舍;J.格鲁诺尔 | 申请(专利权)人: | 德莎欧洲公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;C09J5/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王国祥 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 电子 装置 方法 | ||
1.封装电子装置阻挡渗透物的方法,其中
·提供包括至少一种热可活化的压敏粘合剂或热熔粘合剂的片结构,和
·在装配/包括该电子装置的基底上至少围绕电子装置需封装的区域施用该片结构,
·为所述电子装置和至少包围它的粘合剂设置覆盖物,其中粘合剂与覆盖物相接触,以及
·然后至少在粘合剂表面的部分区域上热活化该粘合剂,从而形成至少具有基底和覆盖物的复合体,
其中,活化所需热量由基本上在至少包括粘合剂的片结构中自身产生。
2.封装电子装置阻挡渗透物的方法,其中
·提供包括至少一种热可活化的压敏粘合剂或热熔粘合剂的片结构,和
·在装配/包括该电子装置的基底上或在设置了用于封装电子装置的覆盖物上至少围绕电子装置需封装的区域施用该片结构,
·为该电子装置设置覆盖物,该覆盖物至少包围该电子装置的粘合剂,其中粘合剂至少与覆盖物相接触,以及
·然后至少在粘合剂表面的部分区域上热活化该粘合剂,从而形成至少具有基底和覆盖物的复合体,
其中,活化所需热量由基本上在至少包括粘合剂的片结构中自身产生。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述热量在至少包含粘合剂的片结构中通过超声波产生。
4.根据权利要求1至3中至少一项所述的方法,其特征在于,所述热量在至少包含粘合剂的片结构中通过磁感应产生。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,感应器集成在至少一个挤压工具中。
6.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,在使用磁场的情况下实现感应加热,其频率位于100Hz至200kHz的中频范围中,和/或使用0.1至10s的加热时间用于感应加热。
7.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,所述可活化粘合剂是可活化的压敏粘合剂。
8.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,在片结构中、尤其是在片结构的粘合剂中存在被二氧化硅包裹的氧化铁颗粒。
9.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,基底材料和/或覆盖物设置有针对氧气和水蒸气的防渗屏蔽,其中,所述防渗屏蔽具有小于10-1g/(m2d)的WVTR和/或小于10-1cm3/(m2d bar)的OTR的值,特别是小于10-2g/(m2d)的WVTR和/或小于10-2cm3/(m2d bar)的OTR。
10.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,所述基底材料和/或所述覆盖物在可见光范围内具有至少75%、优选高于85%的透过率。
11.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,所述可活化的粘合剂具有大于0.1、优选大于1的机械损耗系数tanδ,和/或tanδ粘合剂-tanδ基底或覆盖物的差值优选至少为1。
12.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,所述可活化的粘合剂在23℃具有大于20MS/m的导电性。
13.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,所述可活化粘合剂具有小于100g/m2d、尤其是小于10g/m2d的WVTR和/或小于8000cm3/(m2d bar)、尤其是小于3000cm3/(m2d bar)和非常特别地小于100cm3/(m2dbar)的OTR。
14.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,所述可活化粘合剂装配有用于渗透物的捕捉材料。
15.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,所述用于感应加热的片结构具有至少三个层,即至少一个导电层和至少一个热活化粘合的粘合剂层以及另一个粘合剂层。
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