[发明专利]采用复合波形的串联质谱法无效
申请号: | 201180049563.4 | 申请日: | 2011-10-13 |
公开(公告)号: | CN103299391A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 夏雨;弗兰克·A.·伦德瑞 | 申请(专利权)人: | 普渡研究基金会;爱博才思公司 |
主分类号: | H01J49/36 | 分类号: | H01J49/36 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 美国印第安*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 复合 波形 串联 质谱法 | ||
1.一种离子分析装置,其特征在于:包括质谱仪和射频发生器,操作所述射频发生器以产生第一射频波形,所述射频波形具有可控的频率范围和振幅,频率范围内有凹槽,所述凹槽具有可控的频率和振幅。
2.如权利要求1所述的离子分析装置,其特征在于:操作所述射频发生器以产生具有可控频率的第二射频波形。
3.如权利要求2所述的离子分析装置,其特征在于:控制所述第二射频波形以与所述第一射频波形的凹槽频率相关联。
4.如权利要求1所述的离子分析装置,其特征在于:选择所述第一射频波形的凹槽的振幅以避免采用了射频波形的质谱仪内的离子分裂。
5.如权利要求2所述的离子分析装置,其特征在于:所述第一射频波形和所述第二射频波形可同时应用。
6.如权利要求1所述的离子分析装置,其特征在于:所述第一射频波形和所述第二射频波形可按先后顺序应用。
7.如权利要求1所述的离子分析装置,其特征在于:所述第一射频波形是一个宽带波形。
8.如权利要求1~7任一所述的离子分析装置,其特征在于:所述第一射频波形的凹槽带宽为4~8kHz。
9.如权利要求1、7、8任一所述的离子分析装置,其特征在于:选择所述凹槽的振幅使得具有与凹槽频率相关联的m/z值的离子被质谱仪陷获。
10.如权利要求1、7、8任一所述的离子分析装置,其特征在于:选择所述凹槽的振幅使得具有与凹槽频率相对应的m/z值的离子被激发产生另一种m/z值的离子,所述的另一种m/z值的离子被具有与其m/z值相关联的频率的另一个凹槽陷获。
11.如权利要求1、2、3任一所述的离子分析装置,其特征在于:所述的质谱仪为线性阱。
12.如权利要求1、2、3任一所述的离子分析装置,其特征在于:所述的质谱仪为Paul阱。
13.如权利要求1所述的离子分析装置,其特征在于:所述的质谱仪和所述射频发生器由计算机控制。
14.一种样品分析方法,其特征在于包括如下步骤:
a.准备质谱仪;
b.准备能够产生复合电压波形的射频发生器;
c.通过分析器产生离子;
d.将离子引入质谱仪以形成至少具有一种荷质比的离子,称为初级需要m/z值离子。
e.操作射频发生器以产生宽带电压波形,所述宽带电压波形具有上限和下限频率及振幅,还具有一个有频率、振幅和带宽的频率凹槽,以喷射出m/z值与宽带波形频率范围相关联的离子,而保留m/z值与凹槽频率相关联的离子。
15.如权利要求14所示的方法,其特征在于:所述凹槽的电压振幅足以引起初级需要m/z值离子与气体成分反应以产生二级需要m/z值离子,所述的二级需要m/z值离子的m/z值与凹槽频率相关联;对具有二级需要m/z值的离子进行质谱分析。
16.如权利要求14所示的方法,其特征在于:所述复合电压波形包括具有可控频率和振幅的窄带射频波形。
17.如权利要求15所示的方法,其特征在于:选择所述的窄带射频波形的频率与凹槽频率范围的中值相关联。
18.如权利要求16所示的方法,其特征在于:选择所述的窄带射频波形的振幅,使得具有初级需要m/z值的离子发生反应以产生具有另一种m/z值的离子。
19.一种计算机程序产品,非瞬时存储在计算机可读介质上,其特征在于其指令能够使计算机执行如下步骤:
a.控制射频电压发生器产生一个复合电压波形;
b.操作质谱仪利用所述的电压波形陷获初级离子,初级离子的m/z值与射频发生器产生的宽带波形上的凹槽频率相关联;
c.控制宽带波形的振幅以减少m/z值与凹槽频率不一致的离子数量;
d.控制射频发生器以产生离散频率波形,所述离散频率波形的频率与凹槽的中心频率相关联。
e.控制射频发生器以在宽带波形上产生另一个凹槽,所述凹槽能够陷获具有另一种m/z值的离子。
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