[发明专利]使用太阳能电池产生电力的方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池。

背景技术

图7是表示专利文献1中公开的太阳能电池。该现有的太阳能电池具有太阳能电池元件11和透镜L。太阳能电池元件11包括多个光电转换层13，光电转换层13具有p型GaAs缓冲层13a、p型InGaP-BSF层13b、p型GaAs基底层13c、n型GaAs发射极层13d、n型InGaP窗口层13e和反射防止层15。这些层13a～15在半导体基板12上以该顺序层叠。太阳能电池元件11还在分离光电转换层13的分离槽16、光电转换层13的受光面的周围具有接触层14，在接触层14的外周部具有再结合防止层17、受光面电极18、背面电极19。

太阳光透过透镜L和反射防止膜15，照射到n型InGaP窗口层13e。该太阳光的照射产生电力。

先行技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008－124381号公报

非专利文献

非专利文献1:Jenny Nelson著、The Physics of Solar Cells、World Scientific Pub Co Inc.

发明内容

发明要解决的课题

现有的太阳能电池具有大约20％的转换效率。

本発明的目的在于提供具有高转换效率的太阳能电池。

用于解决课题的方法

本发明是使用太阳能电池产生电力的方法，具有以下的以下的工序（a）和工序（b）。

工序（a）准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的太阳能电池。在此，太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、p型窗口层、n侧电极和p侧电极，Z方向是p型GaAs层的法线方向，X方向是与Z方向正交的方向。

n型GaAs层、p型GaAs层和p型窗口层沿Z方向层叠，p型GaAs层沿Z方向被夹在n型GaAs层和p型窗口层之间，p侧电极与p型GaAs层电连接，n侧电极与n型GaAs层电连接。

n型GaAs层被分割为中央部、第一周边部和第二周边部，中央部沿X方向被夹在第一周边部和第二周边部之间。

第一周边部和第二周边部具有层的形状，满足以下的不等式组（I），

d2＜d1，d3＜d1，1纳米≤d2≤4纳米，1纳米≤d3≤4纳米，100纳米≤w2，和100纳米≤w3···（I）

d1表示沿Z方向的中央部的厚度，d2表示沿Z方向的第一周边部的厚度，d3表示沿Z方向的第二周边部的厚度，w2表示沿X方向的第一周边部的宽度，w3表示沿X方向的第二周边部的宽度。

工序（b）以满足以下的不等式（II）的方式经由聚光透镜对p型窗口层的表面所包含的区域S照射光，使n侧电极和p侧电极之间产生电位差。

w4≤w1···（II）

在此，w1表示沿X方向的中央部的宽度，w4表示包含Z方向的截面视图中区域S的沿X方向的宽度，从Z方向看时，中央部（104）与区域S重合。

发明效果

本発明的太阳能电池具有更高的转换效率。

附图说明

图1A是实施方式1的太阳能电池的截面图。

图1B是实施方式1的太阳能电池元件的截面图。

图2是实施方式1的太阳能电池元件的截面放大图。

图3A是表示实施方式1的太阳能电池元件的制造工序的图。

图3B是表示实施方式1的太阳能电池元件的制造工序的图。

图3C是表示实施方式1的太阳能电池元件的制造工序的图。

图3D是表示实施方式1的太阳能电池元件的制造工序的图。

图3E是表示实施方式1的太阳能电池元件的制造工序的图。

图3F是表示实施方式1的太阳能电池元件的制造工序的图。

图3G是表示实施方式1的太阳能电池元件的制造工序的图。

图4是表示实施方式1的太阳能电池元件的截面图。

图5是表示比较例1的太阳能电池元件的截面图。

图6A是表示比较例4的太阳能电池元件的截面图。

图6B是表示比较例5的太阳能电池元件的截面图。

图7是表示现有的太阳能电池的截面图。

具体实施方式

以下参照附图，对本发明的实施方式进行说明。

（实施方式1）

（工序（a））

在工序（a）中，准备太阳能电池。