[发明专利]利用太阳能电池产生电力的方法无效
申请号: | 201180049688.7 | 申请日: | 2011-12-14 |
公开(公告)号: | CN103168368A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 松下明生;伊藤彰宏;中川彻;石田秀俊 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L31/0693 | 分类号: | H01L31/0693;H01L31/0687;H01L31/052 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 太阳能电池 产生 电力 方法 | ||
1.一种利用太阳能电池产生电力的方法,其特征在于,包括:
工序(a),准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的所述太阳能电池,其中
所述太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、隧道效应层、n型InGaP层、p型InGaP层、p型窗口层、n侧电极和p侧电极,
Z方向为所述p型GaAs层的法线方向,
X方向为与所述Z方向正交的方向,
所述n型GaAs层、所述p型GaAs层、所述隧道效应层、所述n型InGaP层、所述p型InGaP层和所述p型窗口层依次沿着Z方向层叠,
所述p型窗口层由具有比InGaP大的能带隙的p型化合物半导体构成,
所述n侧电极与所述n型GaAs层电连接,
所述p侧电极与所述p型InGaP层电连接,
所述n型GaAs层被分割为GaAs中央部、第一GaAs周边部和第二GaAs周边部,
所述GaAs中央部沿着所述X方向被夹在所述第一GaAs周边部与所述第二GaAs周边部之间,
所述第一GaAs周边部和所述第二GaAs周边部具有层的形状,
所述n型InGaP层被分割为InGaP中央部、第一InGaP周边部和第二InGaP周边部,
所述InGaP中央部沿着所述X方向被夹在所述第一InGaP周边部与所述第二InGaP周边部之间,
所述第一InGaP周边部和所述第二InGaP周边部具有层的形状,
并且满足如下的不等式组(I):
d2<d1、d3<d1、1纳米≤d2≤4纳米、1纳米≤d3≤4纳米、d5<d4、d6<d4、1纳米≤d5≤5纳米、1纳米≤d6≤5纳米、100纳米≤w2、100纳米≤w3、100纳米≤w4、以及100纳米≤w5…(I)
其中,d1表示沿所述Z方向的所述GaAs中央部的厚度,
d2表示沿所述Z方向的所述第一GaAs周边部的厚度,
d3表示沿所述Z方向的所述第二GaAs周边部的厚度,
d4表示沿所述Z方向的所述InGaP中央部的厚度,
d5表示沿所述Z方向的所述第一InGaP周边部的厚度,
d6表示沿所述Z方向的所述第二InGaP周边部的厚度,
w2表示沿所述X方向的所述第一GaAs周边部的宽度,
w3表示沿所述X方向的所述第二GaAs周边部的宽度,
w4表示沿所述X方向的所述第一InGaP周边部的宽度,
w5表示沿所述X方向的所述第二InGaP周边部的宽度;和
工序(b),以满足以下不等式(II)的方式经由聚光透镜,使光照射于所述p型窗口层的表面所包含的区域S,在所述n侧电极与所述p侧电极之间产生电位差,其中
w6≤w1…(II)
其中w1表示沿所述X方向的所述GaAs中央部的宽度,
w6在包含所述Z方向的截面视图中,表示所述区域S的沿所述X方向的宽度,
从所述Z方向观察时,所述GaAs中央部与所述区域S重合。
2.如权利要求1所述的利用太阳能电池产生电力的方法,其特征在于:
所述n型InGaP层的宽度与所述p型窗口层的宽度相等。
3.如权利要求1所述的利用太阳能电池产生电力的方法,其特征在于:
所述太阳能电池元件还包括被夹在所述n侧电极与所述GaAs中央部之间的n型阻挡层。
4.如权利要求1所述的利用太阳能电池产生电力的方法,其特征在于:
所述太阳能电池元件还包括被夹在所述n侧电极与所述GaAs中央部之间的n型接触层。
5.如权利要求1所述的利用太阳能电池产生电力的方法,其特征在于:
所述太阳能电池元件还包括被夹在所述p侧电极与所述p侧InGaP层之间的p型接触层。
6.如权利要求1所述的利用太阳能电池产生电力的方法,其特征在于:
所述太阳能电池元件还包括被夹在所述隧道效应层与所述InGaP层中央部之间的n型阻挡层。
7.如权利要求1所述的利用太阳能电池产生电力的方法,其特征在于:
所述太阳能电池元件还包括被夹在所述p型GaAs层与所述隧道效应层之间的p型阻挡层。
8.如权利要求1所述的利用太阳能电池产生电力的方法,其特征在于:
所述太阳能电池元件还包括绝缘层,该绝缘层覆盖所述n型GaAs层、所述p型GaAs层、所述隧道效应层、所述n型InGaP层、所述p型InGaP层和所述p型窗口层的侧面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的