[发明专利]用于射频或电力应用的电子器件和制造这种器件的工艺

权利要求书

1.一种用于射频或电力应用的电子器件，该电子器件包括位于支承基板（1）上用于支承电子元件的半导体层（2＇），该电子器件的特征在于，所述支承基板（1）包括热导率为至少30W/m K的底层（12）和厚度为至少5μm的表面层（13、14），所述表面层具有至少3000Ohm.cm的电阻率和至少30W/m K的热导率。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述支承基板（1）是双层结构，该双层结构包括位于硅底基板（12）上的表面层（13），该表面层（13）由厚度大于5μm的AlN、铝或非晶类金刚石碳制成。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述支承基板（1）是硅基板，该硅基板包括厚度大于5μm的多孔表面区（14）。

4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述支承基板（1）是铝基板，该铝基板被包围了厚度大于5μm的AIN或铝涂层。

5.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述支承基板（1）是硅基板，该硅基板包括以大于10¹⁵at/cm³的浓度掺杂有金的表面区，该表面区的厚度大于5μm。

6.根据权利要求1至5中的一项所述的电子器件，其特征在于，支承所述电子元件的所述半导体层（2＇）由硅、锗或III-V族合金制成。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的电子器件，其特征在于，在所述支承基板（1）与支承所述电子元件的所述半导体层（2＇）之间插入有厚度小于50nm的硅氧化物层。

8.根据权利要求1至6中任意一项所述的电子器件，其特征在于，在所述支承基板（1）与支承所述电子元件的所述半导体层（2＇）之间插入有由AlN、铝、非晶类金刚石碳或高电阻率多晶硅制成的层。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的电子器件，其特征在于，该电子器件是直径大于等于150mm的晶片。

10.根据权利要求1至8中任意一项所述的电子器件，其特征在于，该电子器件是芯片。

11.根据权利要求1至10中任意一项所述的电子器件，其特征在于，所述表面层位于所述底层与所述半导体层之间。

12.一种制造用于射频或电力应用的器件的工艺，该器件包括位于支承基板（1）上用于支承电子元件的层（2＇），所述工艺包括以下连续步骤：

a）在所述支承基板（1）上形成包括半导体层（2）的结构，

b）在所述半导体层（2）中制造所述电子元件，

所述工艺的特征在于，在步骤（a）中使用了支承基板（1），该支承基板（1）包括热导率为至少30W/m K的底层（12）和厚度为至少5μm的表面层（13、14），所述表面层具有至少3000Ohm.cm的电阻率和至少30W/m K的热导率。

13.根据权利要求12所述的工艺，其特征在于，所述支承基板（1）是双层结构，该双层结构包括位于硅底基板（12）上的厚度大于5μm的层（13），该层（13）由AlN、铝或非晶类金刚石碳制成。

14.根据权利要求12所述的工艺，其特征在于，所述支承基板是硅基板，该硅基板包括厚度大于5μm的多孔表面区。

15.一种制造用于射频或电力应用的器件的工艺，该器件包括位于支承基板（1）上用于支承电子元件的层（2＇），所述工艺包括以下连续步骤：

（a）在供体基板（20）的半导体层（2）中制造所述电子元件，

（b）将支承所述电子元件的半导体层（2＇）接合在中间基板（4）上，

（c）去除所述供体基板（20）的剩余部分（22），以将支承所述电子元件的所述层（2'）转移到所述中间层（4）上，

（d）将支承所述电子元件的所述层（2＇）接合在所述支承基板（1）上，

（e）去除所述中间基板（4），

所述工艺的特征在于，在步骤（d）中使用了支承基板（1），该支承基板（1）包括热导率为至少30W/m K的底层（12）和厚度为至少5μm的表面层（13、14），所述表面层具有至少3000Ohm.cm的电阻率和至少30W/m K的热导率。