[发明专利]具有嵌入式微透镜阵列的显示器无效
申请号: | 201180050131.5 | 申请日: | 2011-10-13 |
公开(公告)号: | CN103168266A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | R·A·马丁;K·阿弗拉托尼 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | G02B26/00 | 分类号: | G02B26/00;G02B3/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李小芳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 嵌入 式微 透镜 阵列 显示器 | ||
1.一种制造显示元件的方法,所述方法包括:
在具有第一表面和第二表面的基板中形成微透镜,所述第一表面与所述第二表面间隔开,所述微透镜部署成毗邻于所述基板的所述第一表面;以及
在所述基板的所述第一表面上方形成光调制器,所述光调制器部署在所述微透镜上方,所述光调制器包括光学腔,所述光学腔被配置成被调整以便干涉地调制光。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述微透镜包括:
在所述基板的所述第一表面中形成腔:以及
在所述第一表面上形成第一介电层,所述第一介电层的折射率不同于所述基板的折射率,所述第一介电层至少部分地填充所述基板的所述第一表面中的所述腔。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一介电层的折射率大于所述基板的折射率。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述基板包括玻璃,并且所述第一介电层包括氮化硅、氮氧化硅和聚酰亚胺中的至少一者。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,形成所述腔包括:
用掩模来掩蔽所述基板的所述第一表面的至少一部分,所述掩模包括至少一个开口;以及
用蚀刻剂来蚀刻所述基板。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述蚀刻剂包括各向同性蚀刻剂。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述基板包括玻璃,并且所述蚀刻剂包括氟化氢。
8.如权利要求2所述的方法,其特征在于,形成所述微透镜进一步包括平坦化所述第一介电层。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,平坦化所述第一介电层包括化学机械抛光所述第一介电层的表面。
10.如权利要求8所述的方法,其特征在于,形成所述微透镜进一步包括在经平坦化的第一介电层上形成间隔层。
11.如权利要求2所述的方法,其特征在于,形成所述微透镜进一步包括在所述第一介电层上形成第二介电层,所述第二介电层的折射率不同于所述第一介电层的折射率。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,进一步包括平坦化至少所述第二介电层。
13.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述微透镜包括:
用掩模来掩蔽所述基板的所述第一表面的至少一部分,所述掩模包括至少一个开口;以及
使掺杂剂扩散至所述基板中,所述掺杂剂被选择成改变所述基板的折射率。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述掺杂剂被选择成增大所述基板的折射率。
15.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述基板包括玻璃,并且所述掺杂剂包括硼。
16.如权利要求13所述的方法,其特征在于,使所述掺杂剂扩散包括加热所述基板。
17.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述光调制器包括:
在所述基板的所述第一表面上方形成部分反射器;以及
在所述部分反射器上万形成可移动反射器,所述可移动反射器与所述部分反射器间隔开以提供所述光学腔,所述可移动反射器被配置成相对于所述部分反射器移动以便在所述光学腔中干涉地调制光。
18.一种包括多个显示元件的显示器,每个显示元件是根据如权利要求1所述的方法制造的。
19.如权利要求18所述的显示器,其特征在于,进一步包括:
处理器,其被配置成与所述显示器通信,所述处理器被配置成处理图像数据;以及
存储器设备,其配置成与所述处理器通信。
20.如权利要求19所述的显示器,其特征在于,进一步包括驱动器电路,所述驱动器电路被配置成将至少一个信号发送给所述显示器。
21.如权利要求20所述的显示器,其特征在于,进一步包括控制器,其配置成将所述图像数据的至少一部分发送给所述驱动器电路。
22.如权利要求19所述的显示器,其特征在于,进一步包括图像源模块,其配置成将所述图像数据发送给所述处理器。
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