[发明专利]透明导电膜及其制造方法、光电转换装置及电子装置

权利要求书

1.一种透明导电膜，包括：

金属细线网状层；以及

一层或多层石墨烯层，设置在所述金属细线网状层的至少一个表面上。

2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其中

所述金属细线网状层设置在透明基板上，并且所述石墨烯层设置在所述金属细线网状层上。

3.根据权利要求2所述的透明导电膜，其中

所述金属细线网状层包括选自由铜、银、铝、金、铁、镍、钛和铂构成的组的至少一种金属。

4.根据权利要求3所述的透明导电膜，其中

所述透明导电膜的片电阻等于或高于0.01Ω/sq且等于或低于10Ω/sq。

5.根据权利要求4所述的透明导电膜，其中

所述透明导电膜在波长550nm处的光透过率等于或大于70%。

6.根据权利要求5所述的透明导电膜，其中

所述透明导电膜的导电表面的平滑性大于5μm。

7.根据权利要求2所述的透明导电膜，其中

所述透明基板是塑料基板。

8.根据权利要求1所述的透明导电膜，其中

所述石墨烯层设置在所述金属细线网状层的两个表面上。

9.根据权利要求1所述的透明导电膜，其中

所述金属细线网状层的表面被黑化。

10.根据权利要求1所述的透明导电膜，其中

所述石墨烯层设置在透明基板上，并且所述金属细线网状层设置在所述石墨烯层上。

11.一种制造透明导电膜的方法，所述方法包括如下步骤：

在包括金属的第一基板上形成一层或多层石墨烯层；

将所述第一基板的所述石墨烯层的一侧接合到第二基板；

去除所述第一基板；

将所述第二基板的所述石墨烯层的一侧接合到透明基板上所形成的金属细线网状层；以及

去除所述第二基板。

12.根据权利要求11所述的制造透明导电膜的方法，其中

一层或多层石墨烯层形成在所述透明基板上，并且所述金属细线网状层形成在所述石墨烯层上。

13.根据权利要求11所述的制造透明导电膜的方法，其中

所述第一基板包括选自由铝、硅、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、铂、银、金和钨构成的组的至少一种金属。

14.一种制造透明导电膜的方法，所述方法包括如下步骤：

在包括金属的第一基板上形成一层或多层石墨烯层；

将所述第一基板的所述石墨烯层的一侧接合到第二基板；

通过图案化所述第一基板形成金属细线网状层；

将所述第二基板的所述金属细线网状层的一侧接合到透明基板；以及

去除所述第二基板。

15.一种制造透明导电膜的方法，所述方法包括如下步骤：

在包括金属的第一基板上形成一层或多层石墨烯层；

将所述第一基板的所述石墨烯层的一侧接合到透明基板上所形成的金属细线网状层；以及

去除所述第一基板。

16.一种制造透明导电膜的方法，所述方法包括如下步骤：

在包括金属的第一基板上形成一层或多层石墨烯层；

将所述第一基板的所述石墨烯层的一侧接合到透明基板；以及

通过图案化所述第一基板形成金属细线网状层。

17.根据权利要求16所述的制造透明导电膜的方法，还包括：

在形成所述金属细线网状层后，将第二基板上形成的一层或多层石墨烯层接合到所述金属细线网状层；以及

去除所述第二基板。

18.一种光电转换装置，该光电转换装置具有电解质层填充在隔着透明导电膜设置在透明基板上的多孔光电极和对电极之间的结构，所述透明导电膜包括金属细线网状层以及设置在所述金属细线网状层的至少一个表面上的一层或多层石墨烯层。

19.根据权利要求18所述的光电转换装置，其中

所述对电极隔着透明导电膜设置在透明基板上，并且所述透明导电膜包括金属细线网状层和设置在所述金属细线网状层的至少一个表面上的一层或多层石墨烯层。

20.一种电子装置，包括

透明导电膜，包括

金属细线网状层，以及

一层或多层石墨烯层，设置在所述金属细线网状层的至少一个表面上。