[发明专利]用于形成磁场的装置及所述装置的使用方法无效

专利信息
申请号: 201180050326.X 申请日: 2011-10-20
公开(公告)号: CN103168506A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: G·勒雷;S·拉乌夫;V·N·托多罗 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H05H1/40 分类号: H05H1/40;H01F7/06;H01F27/28
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 形成 磁场 装置 使用方法
【权利要求书】:

1.一种用于形成磁场的装置,所述装置包含:

多个线圈,所述多个线圈具有基本上相似的尺寸,所述多个线圈以对称图案围绕处理腔室安置,所述对称图案以所述处理腔室的中心轴为中心,其中所述多个线圈经配置以产生磁场,所述磁场具有多个磁场线,所述多个磁场线基本上为同一平面的且基本上平行的。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多个线圈包含八个线圈,所述八个线圈围绕所述处理腔室安置,其中所述八个线圈中的每一个线圈相对于所述八个线圈中的各个相邻线圈偏移约45度的角度。

3.如权利要求1-2中任一权利要求所述的装置,其特征在于,所述装置进一步包含:

至少一个功率源,所述至少一个功率源耦接至所述多个线圈,且所述至少一个功率源经配置以向选自所述多个线圈的至少两组线圈选择性地提供电流。

4.如权利要求1-3中任一权利要求所述的装置,其特征在于,所述至少两组线圈中的第一组线圈包含两个线圈,且所述至少两组线圈中的第二组线圈包含四个线圈。

5.如权利要求1-4中任一权利要求所述的装置,其特征在于,所述装置安置于邻近基板支撑件,所述基板支撑件安置于所述处理腔室内,以形成邻近基板的顶表面的所述磁场,所述基板安置于所述基板支撑件顶部。

6.如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述基板的所述顶表面与所述磁场的中心轴之间的距离为约1cm至约30cm。

7.如权利要求5-6中任一权利要求所述的装置,其特征在于,所述处理腔室进一步包含电子束发生器,所述电子束发生器经配置以邻近所述基板的所述顶表面形成电子束。

8.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述电子束发生器包含阳极和阴极,所述阳极安置于所述处理腔室的第一侧上,所述阴极安置于与所述第一侧相对的所述处理腔室的第二侧上,其中所述电子束产生于所述阳极与所述阴极之间。

9.如权利要求7-8中任一权利要求所述的装置,其特征在于,所述基板的所述顶表面与所述电子束的中心轴之间的距离为约1cm至约30cm。

10.如权利要求7-8中任一权利要求所述的装置,其特征在于,所述电子束与所述磁场的中心轴之间的距离达到约所述电子束的厚度。

11.如权利要求1-10中任一权利要求所述的装置,其特征在于,所述装置进一步包含屏蔽物,所述屏蔽物安置于邻近所述多个线圈的向外表面。

12.一种执行于处理腔室中的方法,所述处理腔室包含多个线圈,所述多个线圈具有基本上相似的尺寸,所述多个线圈相对于所述处理腔室的中心轴围绕所述处理腔室的外部而对称地安置,所述方法包含以下步骤:

向选自所述多个线圈的两个反向线圈提供第一电流;以及

同时向邻近于所述两个反向线圈的线圈提供第二电流,以沿第一向量方向产生磁场,所述磁场具有在所述磁场安置于所述处理腔室的基板支撑件上方的整个区域基本上为同一平面的且基本上平行的磁场线,其中所述区域的大小对应于所述基板支撑件的大小。

13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述多个电磁线圈包含八个电磁线圈,所述八个电磁线圈相对于所述处理腔室的所述中心轴围绕所述处理腔室以约45度的增量安置。

14.如权利要求12-13中任一权利要求所述的方法,其特征在于,所述磁场将形成于所述处理腔室中的等离子体限制在所要的区域,所述区域邻近基板的顶表面,所述基板安置于基板支撑件顶部,所述基板支撑件安置于所述处理腔室内。

15.如权利要求12-14中任一权利要求所述的方法,其特征在于,形成所述等离子体的步骤包含以下步骤:

向所述处理腔室提供处理气体;以及

在安置于所述处理腔室的反向侧上的阳极与阴极之间产生电子束,其中所述电子束点燃所述处理气体,以形成所述等离子体。

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