[发明专利]纳米尺度结构

权利要求书

1. 一种形成纳米尺度结构的方法，所述方法包括：

在基底表面上形成纳米结构；和

在纳米结构之间应用基体材料。

2. 根据权利要求1所述的方法，其中，应用基体材料包括在纳米结构之间电化学沉积基体材料。

3. 根据权利要求1所述的方法，其中，应用基体材料包括在纳米柱之间应用基体材料以限定具有基本平面基层表面的基层。

4. 根据权利要求3所述的方法，其中，所述纳米结构具有初步纳米结构高度，且其中，应用基体材料包括将基体材料应用至小于初步纳米结构高度的深度。

5. 根据权利要求1所述的方法，还包括在纳米结构上沉积帽材料，以在纳米结构的远端部上限定帽。

6. 根据权利要求5所述的方法，其中，应用基体材料包括将基体材料应用至限定从帽隔开的基层表面的深度。

7. 根据权利要求1所述的方法，其中，形成纳米结构包括：

在基底表面上形成模板，所述模板限定纳米孔；

用纳米结构材料至少部分地填充纳米孔以限定纳米结构；以及

去除模板。

8. 根据权利要求7所述的方法，其中，形成模板包括：

形成可氧化模板材料层；以及

阳极氧化可氧化模板材料层以限定纳米孔。

9. 根据权利要求8所述的方法，其中，至少部分地填充纳米孔包括：

形成可氧化纳米结构材料层；以及

阳极氧化可氧化纳米结构材料层，以从可氧化纳米结构材料生长氧化物到纳米孔中，从而在纳米孔中形成纳米结构。

10. 根据权利要求9所述的方法，其中，非整体式纳米结构由五氧化二钽（Ta₂O₅）形成。

11. 根据权利要求9所述的方法，其中，在纳米结构之间应用基体材料包括使用纳米结构下面的导电层作为阴极。

12. 一种形成纳米尺度结构的方法，所述方法包括：

将第一可氧化材料沉积在基底表面上；

将第二可氧化材料沉积在第一可氧化材料上；

阳极氧化第二可氧化材料以形成具有纳米孔的多孔氧化物，所述纳米孔延伸通过多孔氧化物以暴露第一可氧化材料的一部分；

阳极氧化第一可氧化材料，从而用纳米结构材料部分地填充多孔氧化物中的纳米孔，所述纳米结构材料包括第一可氧化材料的氧化物，从而在基底表面上形成具有基本一致高度的纳米结构阵列；

在纳米结构上沉积帽材料以在纳米结构上限定帽；以及

通过选择性蚀刻而去除多孔氧化物，从而在基底表面上产生纳米结构的基本平面阵列，所述纳米结构具有带帽的远端部；

在纳米结构之间电化学沉积基体材料。

13. 根据权利要求12所述的方法，其中，在纳米结构之间电化学沉积基体材料包括使用纳米结构下面的导电层作为阴极。

14. 一种纳米尺度结构，包括：

基底；

在基底上形成的纳米结构阵列，所述纳米结构阵列包括具有远端部的多个纳米结构；

沉积在纳米结构之间的基层；以及

在纳米结构的远端部上形成的帽。

15. 根据权利要求14所述的纳米尺度结构，其中，所述基层限定基本平面基部表面，且其中，所述帽从基底表面隔开。