[发明专利]具有提高的缓冲击穿电压的HEMT

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

第一导电类型的衬底，所述衬底具有顶面；

位于所述衬底中的第二导电类型的阱，所述阱具有顶面；

与所述衬底的顶面和所述阱的顶面接触的缓冲层，所述缓冲层具有顶面；

与所述缓冲层的顶面接触的沟道层，所述沟道层包括III族氮化物且具有顶面；

与所述沟道层的顶面接触的阻挡层，所述阻挡层包括III族氮化物；以及

与所述沟道层接触的间隔开的金属源区和漏区，所述金属漏区直接位于所述阱上方。

2.根据权利要求1中所述的晶体管，其中所述金属漏区与所述阱间隔开。

3.根据权利要求1中所述的晶体管，其进一步包括注入隔离区，其与所述缓冲层接触且接触并在横向位于所述沟道层和所述阻挡层的区域之间。

4.根据权利要求1中所述的晶体管，其进一步包括位于所述衬底中的对准标记开口，所述金属漏区具有针对所述对准标记开口的预定义空间关系。

5.根据权利要求1中所述的晶体管，其进一步包括与所述阻挡层接触或通过绝缘层与所述阻挡层隔离的金属栅极。

6.根据权利要求1中所述的晶体管，其中所述缓冲层包括：

与所述衬底的顶面和所述阱的顶面接触的第一缓冲层；

位于所述第一缓冲层中的所述第二导电类型的区域；以及

与所述第一缓冲层接触的第二缓冲层，所述沟道层接触所述第二缓冲层的顶面。

7.根据权利要求6中所述的晶体管，其中所述第一缓冲层薄于所述第二缓冲层。

8.根据权利要求6中所述的晶体管，其中位于所述第一缓冲层中的所述第二导电类型的所述区域直接位于所述阱上方且与所述阱接触。

9.根据权利要求6中所述的晶体管，其进一步包括位于所述第一缓冲层中的所述第一导电类型的区域。

10.根据权利要求9中所述的晶体管，其中位于所述第一缓冲层中所述第一导电类型的所述区域与位于所述第一缓冲层中所述第二导电类型的所述区域接触。

11.一种形成晶体管的方法，包括：

形成第一导电类型的衬底，所述衬底有顶面；

在所述衬底中形成第二导电类型的阱，所述阱具有顶面；

形成与所述衬底的顶面和所述阱的顶面接触的缓冲层，所述缓冲层具有顶面；

形成与所述缓冲层的顶面接触的沟道层，所述沟道层包括III族氮化物且具有顶面；

形成与所述沟道层的顶面接触的阻挡层，所述阻挡层包括III族氮化物；以及

形成与所述沟道层接触的间隔开的金属源区和漏区，所述金属漏区直接位于所述阱上方。

12.根据权利要求11中所述的方法，其中所述金属漏区与所述阱间隔开。

13.根据权利要求11中所述的方法，其进一步包括去除所述阻挡层和所述沟道层的一部分，以形成开口，所述开口的底部暴露所述缓冲层的一部分，所述开口的侧壁暴露所述沟道层和所述阻挡层的一部分。

14.根据权利要求11中所述的方法，其进一步包括在所述衬底中形成对准标记开口，所述金属漏区具有针对所述对准标记开口的预定义空间关系。

15.根据权利要求11中所述的方法，其进一步包括形成金属栅极，以接触所述阻挡层或通过绝缘层与所述阻挡层隔离。

16.根据权利要求11中所述的方法，其中形成所述缓冲层包括：

形成与所述衬底的顶面和所述阱的顶面接触的第一缓冲层，所述第一缓冲层具有顶面；

形成位于所述第一缓冲层中的所述第二导电类型的区域；以及

形成与所述第一缓冲层的顶面接触的第二缓冲层，所述沟道层接触所述第二缓冲层的顶面。

17.根据权利要求16中所述的方法，其中所述第一缓冲层薄于所述第二缓冲层。

18.根据权利要求16中所述的方法，其中位于所述第一缓冲层中的所述第二导电类型的所述区域直接位于所述阱上方且与所述阱接触。

19.根据权利要求16中所述的方法，其进一步包括形成位于所述第一缓冲层中的所述第一导电类型的区域。

20.根据权利要求19中所述的方法，其中位于所述第一缓冲层中的所述第一导电类型的所述区域与位于所述第一缓冲层中的所述第二导电类型的所述区域接触。