[发明专利]加热装置有效
申请号: | 201180050730.7 | 申请日: | 2011-10-11 |
公开(公告)号: | CN103168014A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 近藤畅之;渡边守道;神藤明日美;胜田祐司;佐藤洋介;矶田佳范 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | C04B35/581 | 分类号: | C04B35/581;C04B35/04;H01L21/3065;H01L21/31 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 徐晓静 |
地址: | 日本爱知县名古*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 | ||
1.一种加热装置,其包括具有加热半导体的加热面的基座和接合到该基座的背面的支撑部,所述加热装置特征在于,
所述基座由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成,该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相,且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47~50°。
2.根据权利要求1所述的加热装置,其特征在于,
所述支撑部由所述陶瓷材料构成。
3.根据权利要求1或2所述的加热装置,其特征在于,包括:
埋设到所述基座内部的发热体,以及收容在所述支撑部的内侧空间并电连接到所述发热体的供电构件。
4.根据权利要求1到3任一项所述的加热装置,其特征在于,
所述2θ为47~49°。
5.根据权利要求1到4任一项所述的加热装置,其特征在于,
所述陶瓷材料以氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的结晶相为副相。
6.根据权利要求5所述的加热装置,其特征在于,
所述MgO-AlN固溶体的使用CuKα线时的(200)面及(220)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=42.9~44.8°、62.3~65.2°。
7.根据权利要求5所述的加热装置,其特征在于,
所述MgO-AlN固溶体的使用CuKα线时的(111)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9~39°。
8.根据权利要求1到7任一项所述的加热装置,其特征在于,
所述陶瓷材料不包含AlN结晶相。
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