[发明专利]具有大靶的用于高压溅射的溅射源和溅射方法

权利要求书

1.一种溅射头，具有用于溅射靶的容纳部和用于生成漏磁场的一个或多个磁场源，所述漏磁场具有从所述溅射靶的表面发出并且再次进入所述表面的场力线，

其特征在于，

至少一个磁场源的北极和南极彼此相距10mm或更低、优选5mm或更低、并且特别优选大致1mm，其中在所述磁场源之间形成漏磁场。

2.根据权利要求1所述的溅射头，

其特征在于包围所述靶容纳部的用于在空间上将材料侵蚀限制到所述溅射靶上的屏蔽体。

3.根据权利要求2所述的溅射头，

其特征在于，

在所述靶容纳部与所述屏蔽体之间布置固体绝缘体。

4.根据权利要求1至3之一所述的溅射头，

其特征在于，

在每个磁场源的漏磁场到所述靶容纳部的表面上的投影中，在其中集中了场强的至少90％的区域完全处于应当被保持免受材料侵蚀的预先给定的区域之外。

5.根据权利要求1至4之一所述的溅射头，

其特征在于，

所述磁场源包括至少一个永磁体，所述永磁体的场通过由磁导材料制成的磁轭来引导。

6.根据权利要求5所述的溅射头，

其特征在于，

多个永磁体的磁通通过同一磁轭来引导。

7.根据权利要求1至6之一所述的溅射头，

其特征在于磁场源的一个或多个环形或线形布置。

8.一种溅射头，具有用于溅射靶的容纳部，所述溅射靶具有包围靶容纳部的屏蔽体以用于在空间上将材料侵蚀限制到溅射靶上，

其特征在于，

设置有能够固定在所述溅射靶或所述靶容纳部的朝向溅射等离子体的表面之前的固体绝缘体，所述固体绝缘体能够在运行中将所述表面的最接近屏蔽体的20％或更少、优选最接近屏蔽体的10％或更少、并且特别优选最接近屏蔽体的5％或更少排除在材料侵蚀之外。

9.一种用于在0.5毫巴或更高、优选1毫巴或更高的压力下在衬底上对靶材料进行溅射沉积的方法，其中在靶表面与衬底之间形成溅射气体的等离子体，

其特征在于，

等离子体中的从所述靶表面向所述等离子体方向上发射的电子通过一个或多个磁场源的场力线被偏转，所述磁场源的北极和南极彼此相距10mm或更小、优选5mm或更小、以及特别优选大致1mm。