[发明专利]涂覆玻璃的方法

说明书

本发明涉及一种生产涂覆玻璃的方法及由该方法生产的涂覆玻璃。本发明特别涉及一种用于具有多达三个或者更多个反射金属层的溅射涂覆玻璃的方法。

用于低辐射和/或阳光控制(solar control)的玻璃涂层可通过物理气相沉积方法，例如溅射来沉积。溅射的低辐射和阳光控制涂层的堆叠体通常是由基材/基底介电层序列/(Ag/介电层序列)ⁿ的重复序列制成，其中各个n介电层无需具有同样的厚度或组成。在工业中越来越常见的n等于2或甚至等于3。因介电层比金属层更厚，沉积更慢，在生产涂层的设备中需要大量的阴极。

以前大而复杂的涂层堆叠体需要扩充涂覆设备以获得足够数量的阴极，用来足量有序地制造不同材料。为了允许多重反应过程顺序进行，在扩充之中不得不包括额外的泵送部分。这样做会有巨大开支和长时间的中断，因涂覆生产线需要为工程安装而延长的时段而停止。每个新的阴极和泵送部分也需要配套电源、真空泵、传送部分、辅助装置、仪器设备及将其整合进控制系统。这也可能带来下游后勤(logistics)系统的重构与甚至可能是新的土建工作或建筑物扩充。因三层堆叠体(n＝3)变得越来越常见，这些问题易于产生。

本发明的一个目标就是采用现有技术来解决这些问题。

本发明因而提供了一种生产涂覆玻璃的方法，该方法包括：a)提拱玻璃基材；b)在玻璃基材的至少一个表面上沉积化学气相沉积(CVD)的涂层来生产CVD涂覆玻璃；c)在CVD涂覆的玻璃的表面上溅射沉积另外的涂层，其中另外的涂层包含至少三个反射金属层。

本发明的巨大优点在于本发明允许在溅射涂覆前制成多层涂层堆叠体的基底涂层，如此在溅射涂覆生产线中需要较少的阴极。本发明还允许通过用CVD涂层代替多重溅射涂层。具有CVD涂层的堆叠体通常可更坚韧。

如果可通过CVD(例如在玻璃制造过程中)施加第一介电层序列，或第一介电层序列的大部分，则可省下大量的阴极。这样确保使早先不可完成涂层堆叠体的设备得以完成涂层堆叠体，或者使已可制造它们的设备更快速地沉积涂层堆叠体。这也可以使这些涂膜制造更具有经济性。

优选地，在溅射涂层中的反射金属层的至少一层或者优选每层包含银。

一般至少一个介电层被沉积在各反射金属层之间。

一般来说，CVD涂层包含一个或多个层。这些层可选自硅氧化物(例如：碳氧化硅、氧化硅或氧氧化硅)、钛氧化物(掺杂或未掺杂的)、锡氧化物(无论是否掺杂，如掺杂F或未掺杂的)和/或锌氧化物(掺杂或未掺杂的)的一种或多种。最优选的CVD涂层包括涂布有钛氧化物层的硅氧化物层。

一般来说，将CVD沉积的涂层的各层沉积为10nm至50nm之间的厚度。优选地，CVD涂层的各层厚度在15至30nm之间，更优选为15至25nm。

如果在玻璃生产过程中沉积CVD涂层则是特别有利的。如果玻璃基材包含浮法玻璃基材，CVD涂层可以很方便地在浮法玻璃沉积过程中，或在浮槽、退火炉或在退火炉的间隙处沉积。CVD涂覆的方法可以是任何化学气相沉积技术，特别是大气压化学气相沉积(例如：如在浮法玻璃沉积过程中进行的在线CVD)。

一般来说，玻璃基材表面为气体一侧的表面。涂覆玻璃生产商一般优选在气体一侧表面(与浮法玻璃的锡一侧表面相反)沉积涂层，这是因为，认为在气体一侧表面的沉积改善了涂层的性质。

优选地，在CVD沉积的涂层上沉积另外的涂层包括溅射沉积至少一个金属的或Ar溅射的氧化物(从陶瓷靶)保护层(如NiCr、Ti、Zn、Zr、sn、Nb、ITO、ZAO、TiO_x)。

溅射的涂层中的介电层一般选自TiO_x、Zn_xSn_yO_z、ZnO、SnO_x、Zn_xAl_xO_z、AlN_x、SiN_x或Si_xAl_yN_z，但也可选自多种其它的透明介电材料。

一般来说，每个反射金属层沉积在具有一个或多个任选的保护性(如金属的或氩溅射的介电的)层的介电层中间。溅射的涂层可包含一个或多个附加反射金属层，超过3个(如4、5或6)，各个反射金属层优选被夹在介电层和任选的金属保护层之间。