[发明专利]静电卡盘

权利要求书

1.一种静电卡盘，其包括：具有吸附半导体的吸附面的基座；与埋设到该基座内的静电卡盘电极，所述静电卡盘的特征在于，

所述基座包括板状主体部与面对所述吸附面的表面耐腐蚀层，所述表面耐腐蚀层由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。

2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，

可外加高频电压到所述静电卡盘电极。

3.根据权利要求1或2所述的静电卡盘，其特征在于，

在所述表面耐腐蚀层的所述板状主体部侧的主面上设有所述静电卡盘电极。

4.根据权利要求1至3任一项所述的静电卡盘，其特征在于，包括：

被埋设到所述板状主体部的内部的发热体。

5.根据权利要求1至4任一项所述的静电卡盘，其特征在于，包括：

接合到所述基座的背面的支撑部。

6.根据权利要求5所述的静电卡盘，其特征在于，

所述支撑部由所述陶瓷材料构成。

7.根据权利要求5或6所述的静电卡盘，其特征在于，包括：

供电构件，其容纳在所述支撑部的内侧空间，并电连接到所述静电卡盘电极。

8.根据权利要求1至7任一项所述的静电卡盘，其特征在于，

所述2θ为47～49°。

9.根据权利要求1至8任一项所述的静电卡盘，其特征在于，

所述陶瓷材料以氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的结晶相为副相。

10.根据权利要求9所述的静电卡盘，其特征在于，

所述MgO-AlN固溶体的使用CuKα线时的（200）面及（220）面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=42.9～44.8°、62.3～65.2°。

11.根据权利要求10所述的静电卡盘，其特征在于，

所述MgO-AlN固溶体的使用CuKα线时的（111）面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9～39°。

12.根据权利要求1至11任一项所述的静电卡盘，其特征在于，

所述陶瓷材料不包含AlN结晶相。

13.根据权利要求1至12任一项所述的静电卡盘，其特征在于，

所述板状主体部由以氮化铝、氧化钇或氧化铝为主相的陶瓷构成。