[发明专利]具有谐振晶体管栅极的功率场效应晶体管有效
| 申请号： | 201180051163.7 | 申请日： | 2011-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103180955B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | L·皮尔·德罗什蒙 | 申请（专利权）人： | L·皮尔·德罗什蒙 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 贺小明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 谐振 晶体管 栅极 功率 场效应 | ||
1.一种半导体场效应晶体管，其特征在于，包含谐振栅极和源极以及漏极，其中谐振栅极具有这种结构：包括与谐振栅极部分串联或并联连接的集成构造的无源组件，这引起谐振栅极以一种或多种预定的频率电磁地谐振。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，无源组件包括陶瓷介电材料。
3.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，介电材料具有根据-40℃至+120℃范围中的温度而改变≤±1％的介电性能。
4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅极还包含多个与一个或多个谐振栅极部分串联电连接的嵌入式电容电路元件以形成减小谐振栅极的总输入电容的集总电容。
5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，谐振栅极具有彼此电抗耦合的相邻定位的部分。
6.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其特征在于，进一步包含集成构造的陶瓷介电材料以影响谐振栅极的相邻定位的部分之间的电抗耦合。
7.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，谐振栅极形成加长的谐振传输线。
8.根据权利要求7所述的场效应晶体管，其特征在于，还包含集成构造在谐振栅极内的电抗和电阻组件以形成结合谐振栅极的部分的加长谐振传输线，其中加长的传输线以一种或多种预定的频率谐振。
9.根据权利要求8所述的场效应晶体管，其特征在于，电阻组件位于终止谐振传输线的位置上。
10.根据权利要求8所述的场效应晶体管，其特征在于，谐振栅极内的一个或多个电阻组件适用于控制谐振栅极的带宽。
11.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，栅极电极具有≥100的栅极宽与栅极长的比。
12.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，栅极宽与栅极长的比大于一千、一万、十万或一百万与一的比。
13.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，谐振栅极构造为具有蛇形路径。
14.根据权利要求13所述的场效应晶体管，其特征在于，蛇形路径包括谐振栅极的相邻部分之间的电磁耦合。
15.根据权利要求13所述的场效应晶体管，其特征在于，蛇形路径符合分形几何。
16.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，还包含集成在具有场效应晶体管的单片结构中的功率管理模块。
17.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，集成场效应晶体管和单片功率管理模块形成在硅、硅锗或III-V化合物半导体上。
18.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，场效应晶体管为DDMOS、超结或IGBT垂直场效应晶体管或表面场效应晶体管。
19.一种功率管理模块，其特征在于，包含权利要求1所述的场效应晶体管。
20.根据权利要求19所述的功率管理模块，其特征在于，谐振栅极的谐振频率对应于用于功率管理模块中的转换频率。
21.一种硅载体，其特征在于，包含权利要求1所述的场效应晶体管。
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