[发明专利]半导体发光二极管芯片、发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光二极管芯片，包括：

半导体发光二极管单元，其包括透光衬底以及在所述透光衬底的上表面上顺序地形成的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；

后反射叠层，其包括辅助光学层和金属反射膜，所述辅助光学层形成在所述透光衬底的下表面上并且由具有预定折射率的材料制成，所述金属反射膜形成在所述辅助光学层的下表面上；以及

接合叠层，其设置在所述后反射叠层的下表面上并且包括接合金属层和防扩散膜，所述接合金属层由共晶金属材料制成，所述防扩散膜被形成为防止所述接合金属层与所述金属反射膜之间的元素扩散。

2.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述接合金属层的共晶金属材料包括金（Au）、银（Ag）和锡（Sn）当中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述接合金属层的共晶金属材料包括Au-Sn。

4.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述金属反射膜包括铝（Al）、银（Ag）或它们的混合物。

5.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述防扩散膜包括从以下材料当中选择的材料：铬（Cr）、金（Au）、TiW、TiN以及它们的组合。

6.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述辅助光学层由包括从以下组所选的元素的氧化物或氮化物制成，所述组包括：硅（Si）、锆（Zr）、钽（Ta）、钛（Ti）、铟（In）、锡（Sn）、镁（Mg）和铝（Al）。

7.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述辅助光学层具有分布布拉格反射器结构，在该结构中交替地层叠具有不同折射率的两种电介质薄膜。

8.根据权利要求7所述的半导体发光二极管芯片，其中，所述两种电介质薄膜分别由包括从以下组所选的元素的氧化物或氮化物制成，所述组包括：硅（Si）、锆（Zr）、钽（Ta）、钛（Ti）、铟（In）、锡（Sn）、镁（Mg）和铝（Al）。

9.一种半导体发光器件，其包括半导体发光二极管芯片和支撑所述半导体发光二极管芯片的支撑件，

其中，所述半导体发光二极管芯片包括：

半导体发光二极管单元，其包括透光衬底以及在所述透光衬底的上表面上顺序地形成的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；

后反射叠层，其包括辅助光学层和金属反射膜，所述辅助光学层形成在所述透光衬底的下表面上并且由具有预定折射率的材料制成，所述金属反射膜形成在所述辅助光学层的下表面上；以及

接合叠层，其设置在所述后反射叠层的下表面上并且包括接合金属层和防扩散膜，所述接合金属层具有熔接到所述支撑件的界面并且由共晶金属材料制成，所述防扩散膜被形成为防止所述接合金属层与所述金属反射膜之间的元素扩散。

10.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，所述接合金属层的共晶金属材料包括金（Au）、银（Ag）和锡（Sn）当中的至少一种。

11.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中，所述接合金属层的共晶金属材料包括Au-Sn。

12.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，所述金属反射膜包括铝（Al）、银（Ag）或它们的混合物。

13.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，所述防扩散膜包括从以下材料当中选择的材料：铬（Cr）、金（Au）、TiW、TiN以及它们的组合。

14.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，所述辅助光学层由包括从以下组所选的元素的氧化物或氮化物制成，所述组包括：硅（Si）、锆（Zr）、钽（Ta）、钛（Ti）、铟（In）、锡（Sn）、镁（Mg）和铝（Al）。

15.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，所述辅助光学层具有分布布拉格反射器结构，在该结构中交替地层叠具有不同折射率的两种电介质薄膜。

16.根据权利要求15所述的半导体发光器件，其中，所述两种电介质薄膜分别由包括从以下组所选的元素的氧化物或氮化物制成，所述组包括：硅（Si）、锆（Zr）、钽（Ta）、钛（Ti）、铟（In）、锡（Sn）、镁（Mg）和铝（Al）。