[发明专利]包括跳陷电路的MRI的RF天线装置

权利要求书

1.一种包括共振导体结构的RF天线或线圈，用于在所述RF天线或线圈的操作期间在用于发射和/或接收RF信号的所述RF天线或线圈的共振频率处激励共振RF电流，其中，所述共振导体结构包括跳陷电路，所述跳陷电路被串接至所述共振导体结构的一个导体中并且包括由如下提供的第一导体环：

-   并接的第一导体（11）和第二导体（12），其中：

-   至少一个电抗元件（Rx）被串接至所述第二导体（12）中，或者至少两个电抗元件（Rx）的至少一个并接被串接至所述第二导体（12）中，以及

-   开关（D）被串接至所述第二导体（12）中并且被并接于所述电抗元件（Rx）中的至少一个电抗元件，用于在所述开关的导通状态中对所述至少一个电抗元件（Rx）进行短路，其中，选择所述至少一个电抗元件（Rx）的电感和/或电容，使得：

-   当所述开关被切换为其非导通状态时，所述跳陷电路能够在跳陷共振频率处共振，所述跳陷共振频率至少基本等于所述RF天线或线圈的所述共振频率，从而通过所述跳陷电路陷获在所述RF天线或线圈的所述共振频率处的所述共振RF电流，以及

-   当所述开关被切换为其导通状态时，所述跳陷共振频率不能够被激励，从而能够在所述共振导体结构中激励在所述RF天线或线圈的所述共振频率处的所述共振RF电流。

2.根据权利要求1所述的RF天线或线圈，其中，所述跳陷电路包括第三导体（13），所述第三导体形成具有所述第一导体（11）和所述第二导体（12）以及所述开关（D）和所述电抗元件（Rx）的两个导体环的部分。

3.根据权利要求2所述的RF天线或线圈，

其中，所述跳陷电路包括借助第三导体（13）和所述第二导体（12）提供的第二导体环，其中，所述第三导体（13）被并接于所述第二导体（12），用于在所述开关处在其非导通状态中时实现对所述第一导体环和所述第二导体环之内的共振蝶型电流模式的激励。

4.根据权利要求1所述的RF天线或线圈，

其中，所述开关是半导体开关，其能够借助相关的控制电压在所述导通状态与所述非导通状态之间切换，所述相关的控制电压在所述半导体开关的控制端处施加。

5.根据权利要求4所述的RF天线或线圈，

其中，所述半导体开关是二极管（D），并且其中，DC阻断电容器（C2）被连接至所述第一导体环中，使得在所述DC阻断电容器的端处，能够施加DC偏置电流或电压，用于分别在导通状态和非导通状态中操作所述二极管（D）。

6.根据权利要求4所述的RF天线或线圈，

其中，在所述非导通状态中，所述半导体开关具有电容，其以电容器的形式在所述第一导体环之内提供额外的电抗元件。

7.根据权利要求1所述的RF天线或线圈，

其中，所述至少一个电抗元件（Rx）中的每个是电容器（C1、C2、C3、C4）或电感器（L1、L2）。

8.根据权利要求1所述的RF天线或线圈，

其中，向所述第一导体（11）中串接至少一个电抗元件（Rx），或者串接至少两个电抗元件（Rx）的至少一个并接。

9.根据权利要求2所述的RF天线或线圈，

其中，向所述第三导体（13）中串接至少一个电抗元件（Rx），或者串接至少两个电抗元件（Rx）的至少一个并接。

10.根据权利要求1所述的RF天线或线圈，

其中，所述RF天线或线圈是TEM类型或微带天线或线圈，其中，所述第一导体环被串接至所述共振导体结构中或者提供所述共振导体结构到所述TEM类型或微带天线的地平面或掩蔽物的连接。

11.一种包括RF发射天线或线圈和RF接收天线或线圈的RF发射/接收天线装置，这些RF天线或线圈中的至少一个被以根据权利要求1到10中的至少一项所述的RF天线或线圈的形式提供。

12.根据权利要求11所述的RF发射/接收天线装置，

其中，以根据权利要求1到9中的至少一项所述的RF天线或线圈的形式提供所述RF发射天线或线圈，用于通过将所述开关切换到其非导通状态在RF信号接收期间将所述RF发射天线或线圈从所述RF接收天线或线圈去耦。

13.一种包括根据权利要求1到10中的至少一项所述的RF天线或线圈的MR成像系统或扫描器。