[发明专利]用于控制光刻胶线宽粗糙度的方法及设备

权利要求书

1.一种用于控制配置于基板上的光刻胶层的线宽粗糙度的设备，包括：

腔室主体，所述腔室主体具有界定内部处理区域的顶壁、侧壁和底壁；

微波功率发生器，所述微波功率发生器通过波导件耦接至所述腔室主体；以及

一个或多个线圈或磁体，所述线圈或磁体配置在所述腔室主体的外周边周围且邻接所述波导件；以及

气体源，所述气体源通过气体递送通路耦接至所述波导件。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述设备进一步包含：

基板支撑组件，所述基板支撑组件配置在所述腔室主体中延伸通过所述腔室主体的所述底壁。

3.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述设备进一步包含：

RF偏压功率，所述RF偏压功率耦接至所述基板支撑组件。

4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述设备进一步包含：

介电窗，所述介电窗配置在所述微波功率发生器与所述波导件之间。

5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述线圈或磁体是永磁体或电磁体。

6.如权利要求1所述的设备，其其特征在于，所述处理腔室耦接接地端。

7.如权利要求3所述的设备，其特征在于，耦接至所述基板支撑组件的所述RF偏压功率耦接接地端。

8.一种用于控制配置于基板上的光刻胶层的线宽粗糙度的方法，包括以下步骤：

在处理腔室中产生电场，所述处理腔室具有基板，所述基板配置于所述处理腔室中，其中所述基板具有图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层配置在所述基板上；

将气体混合物供应至配置在所述基板上的所述图案化的光刻胶层；

在所述处理腔室中产生磁场以与所述电场相互作用，从而在所述气体混合物中形成等离子体；以及

以形成在所述处理腔室中的所述等离子体修整所述图案化的光刻胶层的边缘轮廓。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，产生所述电场进一步包含以下步骤：

施加微波功率至所述处理腔室以产生所述电场。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，产生所述磁场进一步包含以下步骤：

施加DC或AC功率至一个或多个线圈或磁体以产生所述磁场，所述线圈或磁体配置在所述处理腔室的所述外周边周围。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述线圈或磁体是永磁体或电磁体。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，供应所述气体混合物进一步包含以下步骤：

将含氧气体供应至所述处理腔室中。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述含氧气体是O₂。

14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，修整所述图案化的光刻胶层的所述边缘轮廓进一步包含以下步骤：

调节在所述处理腔室中所产生的所述磁场与所述电场之间的所述相互作用。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，调节所述相互作用进一步包含以下步骤：

控制所述光刻胶层的所述边缘轮廓，使所述边缘轮廓具有低于约3.0nm的线宽粗糙度。