[发明专利]用包含氮和氢的等离子体在接合铜-氧化物混合的表面之前的处理

权利要求书

1.一种用于将设置有由氧化硅区域（4）围绕的至少一个铜区域（3）的第一表面（1）接合到第二表面（1’）的方法，

其特征在于，该方法包括如下步骤：

提供该第一和第二表面（1、1’），该第一和第二表面（1、1’）在它们设置成接触前具有互补的形状，

使该第一表面（1）经历等离子体处理操作，所述等离子体由包含氧化硅氮化剂和包含氢的氧化铜还原剂的气源形成，

将该第一和第二表面（1、1’）设置成接触以在该铜区域和该第二表面之间的界面、以及该氧化硅区域和该第二表面之间的界面实现该第一表面到该第二表面的直接接合。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，氮化剂是二氮，并且该还原剂选自氨、二氢及其混合物。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该氮化剂是氧化亚氮，并且该还原剂是二氢。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该还原剂是氨，该氮化剂也由氨形成。

5.如权利要求1至4任何一项所述的方法，其特征在于，该气源包括至少一个中性气体。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该中性气体选自氦和氩。

7.如权利要求1至6任何一项所述的方法，其特征在于，在第一表面（1）的该等离子体处理操作之前是化学机械抛光操作。

8.如权利要求1至7任何一项所述的方法，其特征在于，在该第一和第二表面（1、1’）设置成接触之后是铜再结晶退火的操作。

9.如权利要求1至8任何一项所述的方法，其特征在于，该第二表面（1’）设置有由氧化硅区域（4’）围绕的至少一个铜区域（3’），且其也在设置为接触前经历等离子体处理操作，所述等离子体由包含氧化硅氮化剂和包含氢的氧化铜还原剂的气源形成。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，将该第一和第二表面（1、1’）设置成接触以形成异质界面，该异质界面包括铜-铜部分、氮化的氧化硅-氮化的氧化硅部分和铜-氮化的氧化硅界面。

11.如权利要求1至10任何一项所述的方法，其特征在于，该第一和第二表面（1、1’）是平面。