[发明专利]高纯度铝涂层硬阳极化在审
| 申请号： | 201180051653.7 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103189963A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | A·H·乌耶;R·M·科克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 涂层 阳极 | ||
1.一种用于等离子体处理设备中的腔室部件，所述腔室部件包含：
铝主体，所述铝主体具有安置于所述主体的外表面上的经抛光的铝涂层，以及安置于所述铝涂层上的硬阳极化涂层，其中所述经抛光的铝涂层抛光至8Ra或更光滑的光洁度。
2.如权利要求1所述的腔室部件，其特征在于，所述经抛光的铝涂层经非机械抛光。
3.如权利要求1所述的腔室部件，其特征在于，所述经抛光的铝涂层包含高纯度铝层。
4.如权利要求1所述的腔室部件，其特征在于，所述经抛光的铝涂层使用电沉积或离子气相沉积(IVD)中的至少一个安置于所述铝主体的所述外表面上。
5.如权利要求1所述的腔室部件，其特征在于，所述硬阳极化涂层使用诸如Scotch Brite的非沉积材料来进一步机械地清洁。
6.一种用于等离子体处理腔室中的设备，所述等离子体处理腔室具有适于支撑基板的基板基座，所述设备包含：
平板，所述平板具有多个穿孔，所述多个穿孔穿过所述平板而形成并经设置以控制所述等离子体的带电及中性物种的空间分布，所述平板具有安置于所述平板的外表面上的经抛光的铝层及安置于所述铝层上的硬阳极化涂层，其中所述铝层抛光至8Ra或更光滑的光洁度。
7.如权利要求6所述的设备，其特征在于，所述设备进一步包含：
多个支撑脚，所述多个支撑脚将所述平板支撑于所述基座上方。
8.如权利要求6所述的设备，其特征在于，所述经抛光的铝层经非机械抛光。
9.如权利要求6所述的设备，其特征在于，所述经抛光的铝层包含高纯度铝层。
10.如权利要求6所述的设备，其特征在于，所述经抛光的铝层使用电沉积或离子气相沉积(IVD)中的至少一个安置于所述铝主体的所述外表面上。
11.如权利要求6所述的设备，其特征在于，所述硬阳极化涂层使用诸如Scotch Brite的非沉积材料来进一步机械地清洁。
12.一种用于制造腔室部件的方法，所述腔室部件用于等离子体处理环境中，所述方法包含以下步骤：
由铝形成所述腔室部件的主体；
抛光主体的表面；
将铝层沉积于所述主体上；
抛光所述铝层的表面；以及
硬阳极化所述铝层。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，抛光所述铝层的所述表面的步骤包含以下步骤：将所述铝层的所述表面抛光至8Ra或更光滑的光洁度。
14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，抛光所述铝层的所述表面的步骤包含以下步骤：非机械地抛光所述铝层的所述表面。
15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，沉积所述铝层的步骤包含以下步骤：使用电沉积或离子气相沉积(IVD)中的至少一个沉积所述铝层。
16.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包含以下步骤：使用诸如Scotch Brite的非沉积材料机械地清洁所述硬阳极化层
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
