[发明专利]具有双层基底元件的机电转换器和这种机电转换器的制造方法

权利要求书

1.机电转换器，其至少包含具有在其中形成中空空间(5)的聚合物层复合材料，

其特征在于，

所述聚合物层复合材料至少包含

- 聚合物层基底元件(1)，其包含具有软化温度Tg_A的载体层(1a)和与其大范围粘合的具有软化温度Tg_E的驻极体层(1b)，其中Tg_A > Tg_E，和

- 第二聚合物层元件(2)，其中

所述聚合物层基底元件(1)以其驻极体层(1b)至少部分与第二聚合物层元件(2)粘合，形成中空空间(5)。

2.根据权利要求1的机电转换器，

其特征在于，

所述载体层(1a)包含至少一种聚合物或由其形成，所述聚合物选自聚碳酸酯和这些聚合物的混合物。

3.根据权利要求1或2的机电转换器，

其特征在于，

所述驻极体层(1b)包含至少一种聚合物或由其形成，所述聚合物选自聚碳酸酯、全氟化或部分氟化的聚合物和共聚物，如聚四氟乙烯（PTFE）、氟乙烯丙烯（FEP）、全氟烷氧基乙烯（PFA），聚酯，如聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN），聚酰亚胺，特别是聚醚酰亚胺，聚醚、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃聚合物、环烯烃共聚物（COC）、聚烯烃，如聚丙烯和这些聚合物的混合物。

4.根据权利要求1至3任一项的机电转换器，

其特征在于，

在成品机电转换器中，

- 载体层(1a)具有≥ 6微米至≤ 125微米的层厚度，和/或

- 成品机电转换器中的驻极体层(1b)具有≥ 6微米至≤ 125微米的层厚度，和/或

- 包含载体层(1a)和驻极体层(1b)的聚合物层基底元件(1)具有≥ 6微米至≤ 250微米的总层厚度。

5.根据权利要求1至4任一项的机电转换器，

其特征在于，

在成品机电转换器中，驻极体层(1b)的层厚度相对于载体层(1a)的层厚度更薄。

6.根据权利要求1至5任一项的机电转换器，

其特征在于，

所述第二聚合物层元件(2)包含至少一层含有间隙(4)的第一聚合物层(3)。

7.根据权利要求1至6任一项的机电转换器，

其特征在于，

所述第二聚合物层元件(2)包含或形成为至少一个第二聚合物层基底元件(1)，所述第二聚合物层基底元件(1)包含具有软化温度Tg_A的载体层(1a, 10a)和与其大范围粘合的具有软化温度Tg_E的驻极体层(1b, 10b)，其中Tg_A > Tg_E。

8.根据权利要求1至7任一项的机电转换器，

其特征在于，

将聚合物层基底元件(1)和/或第二聚合物层元件(2)在形成凸起和/或凹进的情况下结构化和/或三维成型以在所述聚合物层复合材料中形成中空空间(5)。

9.机电转换器的制造方法，所述机电转换器至少包含具有在其中形成中空空间(5)的聚合物层复合材料，

其特征在于，

步骤：

A) 提供聚合物层基底元件(1)，其包含具有软化温度Tg_A的载体层(1a)和与其大范围粘合的具有软化温度Tg_E的驻极体层(1b)，其中Tg_A > Tg_E，

B) 提供第二聚合物层元件(2)，

C) 将聚合物层基底元件(1)布置在第二聚合物层元件(2)上，其中驻极体层(1b)朝向第二聚合物层元件(2)；和

D) 借助层压使所聚合物层基底元件(1)与第二聚合物层元件(2)粘合，形成具有在其中形成中空空间(5)的聚合物层复合材料，其中所选层压温度T_L低于软化温度Tg_A并大于或等于软化温度Tg_E。