[发明专利]纳米孔和纳米流体器件中尺寸的反馈控制

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供纳米流体器件，所述纳米流体器件包括纳米流体通路以及在所述纳米流体通路内的电解质，所述纳米流体通路具有导电表面；以及

对所述导电表面施加电压以电化学地改变所述纳米流体通路的尺寸。

2.如权利要求1所述的方法，还包括通过氧化所述导电表面，减小所述纳米流体通路的尺寸。

3.如权利要求1所述的方法，还包括通过减小所述导电表面的厚度，增大所述纳米流体通路的尺寸。

4.如权利要求1所述的方法，还包括使得离子电流流过所述纳米流体通路以及监视所述离子电流的步骤。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述纳米流体器件包括具有大量纳米流体通路的纳米过滤膜，所述方法还包括电化学地改变所述膜内的所述纳米流体通路的尺寸的步骤。

6.如权利要求5所述的方法，还包括监视流过所述纳米过滤膜的离子电流。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述提供纳米流体器件包括：

提供基板，所述基板包括以电导体为界的所述纳米流体通路；以及

用电解质填充所述纳米流体通路。

8.如权利要求2所述的方法，还包括：为所述纳米流体通路设定目标尺寸；监视所述纳米流体通路的尺寸；以及当达到所述目标尺寸时，中断减小所述纳米流体通路的尺寸。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述纳米流体通路是纳米孔。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述减小所述纳米流体通路的尺寸包括在所述导体与所述电解质之间施加电势。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述纳米流体通路是所述基板中的表面沟道。

12.如权利要求7所述的方法，其中所述基板包括膜，所述膜包括穿过该膜延伸的大量纳米流体通路，每个所述纳米流体通路以所述导体为界，所述方法还包括通过在所述导体上电化学地形成氧化物而减小所述纳米流体通路的尺寸的步骤。

13.如权利要求2所述的方法，包括：

提供流体元件的阵列，每个所述流体元件通过一个或多个纳米流体器件而被连接到所述阵列中的一个或多个其他流体元件；以及

通过使得氧化层在选定的纳米流体通路中的所述导电表面上电化学地生长，选择性地闭合一个或多个所述纳米流体通路。

14.如权利要求13所述的方法，其中选择性地闭合的步骤包括在所述导电表面与所述电解质之间施加电势。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述形成纳米流体器件包括：

在基板中形成具有比目标尺寸大的尺寸的纳米流体通路；

在所述基板上形成导电层，由此减小所述纳米流体通路的尺寸，

用电解质填充所述纳米流体通路；且所述方法包括：

电化学地氧化所述导电层，直到所述流体通路具有所述目标尺寸。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述电化学地氧化所述导电层的步骤包括在所述电解质与所述导电层之间施加电势。

17.如权利要求15或权利要求16所述的方法，还包括监视流过所述纳米流体通路的离子电流的步骤。

18.如权利要求15所述的方法，其中所述纳米流体通路是沟道。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述沟道被形成为具有位于所述基板的表面中的开口，所述方法还包括当在所述基板上形成所述导电层时闭合所述开口的步骤。

20.如权利要求15所述的方法，其中所述导电层选自钛、钨和钽。

21.一种计算机程序产品，用于控制包括位于基板中的纳米流体通路的纳米流体器件，所述纳米流体通路包括导电表面并容纳电解质：

计算机可读存储介质，其中包含计算机可读程序代码，所述计算机可读程序代码包括：

被配置为便于在所述电解质与所述导电表面之间施加足以引起所述导电表面的氧化的电势的计算机可读程序代码；以及

被配置为监视流过所述纳米流体通路的离子电流的计算机可读程序代码。