[发明专利]使用射束阻挡器执行工件的图案化植入

权利要求书

1.一种离子植入的方法，包括：

产生具有长尺寸的离子束；

在遍布所述长尺寸的多个位置处阻挡部分所述离子束；以及

在所述阻挡之后，以第一剂量和第二剂量将所述离子束同步植入工件中，其中所述第一剂量对应所述多个位置且所述第二剂量高于所述第一剂量。

2.如权利要求1所述的离子植入的方法，其中所述离子束具有非均匀射束电流，且所述阻挡经组态以遍布于所述工件均匀地植入所述第一剂量和所述第二剂量。

3.如权利要求1所述的离子植入的方法，其中所述阻挡在所述多个位置处分别被控制。

4.如权利要求1所述的离子植入的方法，还包括相对于所述离子束来扫描所述工件。

5.如权利要求1所述的离子植入的方法，其中所述阻挡经组态来抵消所述离子束的扩充。

6.如权利要求1所述的离子植入的方法，还包括施加导电接点到经所述第二剂量植入的多个区域。

7.如权利要求1所述的离子植入的方法，其中所述第一剂量和所述第二剂量两者皆大于零。

8.一种离子植入的方法，包括：

产生具有长尺寸的离子束；

在遍布所述长尺寸的多个位置处阻挡部分所述离子束；以及

在所述阻挡后，同步植入所述离子束于工件中以形成具有第一剂量的第一多个区域和具有大于所述第一剂量的第二剂量的第二多个区域，所述第一多个区域对应于所述阻挡的所述多个位置。

9.如权利要求8所述的离子植入的方法，其中所述离子束具有非均匀射束电流，且所述阻挡经组态以遍布于所述工件均匀地植入所述第一剂量和所述第二剂量。

10.如权利要求8所述的离子植入的方法，其中所述阻挡在所述多个位置处分别被控制。

11.如权利要求8所述的离子植入的方法，还包括相对于所述离子束来扫描所述工件。

12.如权利要求8所述的离子植入的方法，其中所述阻挡经组态来抵消所述离子束的扩充。

13.如权利要求8所述的离子植入的方法，还包括施加导电接点到所述第二多个区域。

14.如权利要求8所述的离子植入的方法，其中所述第一剂量和所述第二剂量两者皆大于零。

15.一种离子植入的方法，包括：

产生具有长尺寸的离子束；

在遍布所述长尺寸的多个位置处阻挡部分所述离子束，其中所述阻挡的量是针对所述多个位置分别被控制；

相对于所述离子束来扫描工件；以及

执行所述工件的图案化植入，其中第一剂量被植入于对应所述阻挡的所述多个位置的多个区域，且其中高于所述第一剂量的第二剂量被植入所述工件的其余区域。

16.如权利要求15所述的离子植入的方法，其中所述离子束具有非均匀射束电流，且所述阻挡经组态以遍布于所述工件均匀地植入所述第一剂量和所述第二剂量。

17.如权利要求15所述的离子植入的方法，其中所述阻挡经组态以抵消所述离子束的扩充。

18.如权利要求15所述的离子植入的方法，还包括施加导电接点到具有所述第二剂量的多个区域。

19.如权利要求15所述的离子植入的方法，其中所述第一剂量和所述第二剂量两者皆大于零。

20.一种离子植入的方法，包括：

产生具有长尺寸的离子束；

在遍布所述长尺寸的多个位置处阻挡部分所述离子束，以形成具有第一电流区和第二电流区的图案化离子束遍布于所述长尺寸，所述第一电流区的电流低于所述第二电流区且对应于所述多个位置，且其中所述第一电流区和所述第二电流区两者具有大于零的电流；

相对于所述图案化离子束来扫描工件；以及

将所述图案化离子束植入所述工件，以使所述工件同步被植入所述第一电流区和所述第二电流区。