[发明专利]无碱玻璃有效
申请号: | 201180053066.1 | 申请日: | 2011-10-26 |
公开(公告)号: | CN103201228A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 川口贵弘;三和晋吉 | 申请(专利权)人: | 日本电气硝子株式会社 |
主分类号: | C03C3/087 | 分类号: | C03C3/087;C03C3/091;H01L51/50;H05B33/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 | ||
技术领域
本发明涉及一种无碱玻璃,特别涉及有机EL显示器中适合的无碱玻璃。
背景技术
有机EL显示器等电子器件由于薄型且动画显示优异、并且消耗电力也低,因此被用于便携电话的显示器等用途中。
作为有机EL显示器的基板广泛使用玻璃板。该用途的玻璃板主要被谋求以下特性。
(1)由于可防止在热处理工序成膜后的半导体物质中碱离子扩散的事态,所以基本上不含有碱金属氧化物;
(2)由于玻璃板低廉化,所以生产率优异,特别是耐失透性、熔融性优异;
(3)p-Si·TFT的制造工序中,由于降低玻璃板的热收缩,所以应变点升高。
近年来,除了上述要求以外,显示器的轻量、薄型化,进而挠性化等的要求逐渐增强。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许第3804112号公报
发明内容
发明要解决的问题
显示器的薄型化通常使用化学蚀刻。该方法为通过将贴合2张玻璃板而成的显示面板浸渍于氟酸系试剂中,使玻璃板变薄的方法。
但是,以往的显示器用玻璃板由于对于氟酸系试剂的耐性高,所以存在蚀刻速率非常慢这样的问题。为了加快蚀刻速率,如果提高试剂中的氟酸浓度,则氟酸系溶液中不溶的微粒变多,作为结果,该微粒容易附着于玻璃表面,在玻璃板的表面,蚀刻的均匀性受损。
为了解决上述问题,研究有如下方法:降低玻璃组成中的B2O3的含量,提高对于氟酸系试剂的蚀刻速率。例如专利文献1中公开有含有0~1.5摩尔%的B2O3的无碱玻璃。但是,专利文献1记载的无碱玻璃由于耐失透性低,所以成型时容易发生失透,制造困难。另外,为了提高该无碱玻璃的耐失透性,需要降低Al2O3的含量,此时,应变点下降,p-Si·TFT的制造工序中,玻璃板的热收缩变大。因此,专利文献1记载的无碱玻璃难以兼顾高应变点和高耐失透性。
因此,本发明的技术课题为通过发明生产率(特别是耐失透性)优异、同时对于氟酸系试剂的蚀刻速率、而且应变点高的无碱玻璃,从而使玻璃板的制造成本低廉化,同时使薄型的显示面板的制造工序中的生产率提高,进而降低p-Si·TFT的制造工序中的玻璃板的热收缩。
用于解决问题的方案
本发明人等反复进行了各种实验,结果发现:通过严格控制无碱玻璃的玻璃组成范围,同时将玻璃特性控制在规定的范围,由此能够解决上述技术问题,并且作为本发明而提出。即,本发明的无碱玻璃,其特征在于,作为玻璃组成,以质量%计含有SiO258~70%、Al2O315.5~20%、B2O30~1%、MgO0~5%、CaO3.5~16%、SrO0.5~6.5%、BaO5~15%,且基本上不含有碱金属氧化物,应变点高于725℃。这里,“基本上不含有碱金属氧化物”是指玻璃组成中的碱金属氧化物(Li2O、Na2O、K2O)的含量为1000ppm(质量)以下的情况。应变点是指基于ASTM C336的方法测定的值。
本发明的无碱玻璃优选基本上不含有B2O3。这里,“基本上不含有B2O3”是指玻璃组成中的B2O3含量为1000ppm(质量)以下。
本发明的无碱玻璃,作为玻璃组成,优选还含有0.001~1质量%的SnO2。
本发明的无碱玻璃优选杨氏模量大于78GPa。需要说明的是,杨氏模量可利用弯曲共振法测定。
本发明的无碱玻璃优选杨氏模量/密度(比杨氏模量)大于29.5GPa/g·cm-3。需要说明的是,密度可利用阿基米德法测定。
本发明的无碱玻璃优选液相温度低于1250℃。需要说明的是,通过30目的标准筛(500μm),将残留于50目(300μm)的玻璃粉末放入铂舟中后,在温度梯度炉中保持24小时,并通过测定结晶析出的温度来算出液相温度。
本发明的无碱玻璃优选102.5泊时的温度为1660℃以下。
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