[发明专利]使用背面接近的集成电路芯片定制

权利要求书

1.一种集成电路，其包括：

衬底，其具有正面和背面；

在所述正面上的可编程元件；以及

在所述衬底中的接触所述可编程元件的通孔，其中所述可编程元件可通过从所述衬底背面选择性地施加到所述通孔的编程刺激来进行编程。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述可编程元件是反熔丝。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述可编程元件是熔丝。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述熔丝是多晶硅熔丝。

5.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述熔丝是金属熔丝。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述可编程元件是PROM。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述可编程元件是RRAM。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述可编程元件是MRAM。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其进一步包括在所述背面上的传导层以方便连接到所述通孔。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述传导层是铜。

11.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述传导层是钨。

12.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述传导层是铝。

13.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述传导层是金属化层。

14.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述衬底是选自由以下各项组成的群组中的材料：砷化镓、磷化铟、硅锗、铟镓砷、玻璃上硅、蓝宝石上硅、陶瓷上硅、玻璃、蓝宝石、陶瓷、双马来酰亚胺三嗪树脂BT、FR4、环氧树脂，以及环氧树脂。

15.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述衬底是硅。

16.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述通孔是TSV。

17.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述集成电路集成到选自由以下各项组成的群组的装置中：移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元，以及固定位置数据单元。

18.一种通过以下工艺制造的集成电路产品，所述工艺包括：

提供具有正面和背面的衬底；

在所述衬底中形成通孔以提供从所述背面到所述正面上的可编程元件的电连接，其中所述可编程元件可通过从所述背面对所述通孔施加编程刺激来进行编程以建立所述集成电路的功能性。

19.根据权利要求18所述的集成电路产品，其中所述提供衬底包括提供硅衬底，且所述形成通孔包括形成TSV。

20.根据权利要求18所述的集成电路产品，其中所述提供衬底包括提供选自由以下各项组成的群组中的材料的衬底：砷化镓、磷化铟、硅锗、铟镓砷、玻璃上硅、蓝宝石上硅、陶瓷上硅、玻璃、蓝宝石、陶瓷、双马来酰亚胺三嗪树脂BT、FR4、环氧树脂，以及环氧树脂。

21.一种用于定制集成电路的方法，其包括：

提供具有正面和背面的衬底；

贯穿所述衬底形成通孔以提供从所述背面到所述正面上的可编程元件的电连接；

以及从所述背面对所述通孔施加编程刺激以对所述可编程元件进行编程以建立所述集成电路的功能性。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述可编程元件是熔丝。

23.根据权利要求21所述的方法，其中所述可编程元件是反熔丝。

24.根据权利要求21所述的方法，其中所述可编程元件是PROM。

25.根据权利要求21所述的方法，其中所述可编程元件是RRAM。

26.根据权利要求21所述的方法，其中所述可编程元件是MRAM。

27.根据权利要求21所述的方法，其中所述提供衬底包括提供硅衬底。

28.根据权利要求27所述的方法，其中所述形成通孔包括在所述硅衬底中形成TSV。