[发明专利]半导体封装用无铅玻璃和半导体封装用外套管无效
| 申请号： | 201180053166.4 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103209936A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 桥本幸市;近藤久美子 | 申请（专利权）人： | 日本电气硝子株式会社 |
| 主分类号： | C03C3/093 | 分类号： | C03C3/093;C03C3/089;H01L23/08;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;朱弋 |
| 地址： | 日本滋贺*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 铅玻璃 外套 | ||
1.一种半导体封装用无铅玻璃，其特征在于，作为玻璃组成，以摩尔%计含有SiO245～58%、Al2O30～6%、B2O314.5～30%、MgO0～3%、CaO0～3%、ZnO4.2～14.2%、Li2O5～12%、Na2O0～15%、K2O0～7%、Li2O＋Na2O＋K2O15～30%、TiO20.1～8%，且ZnO/Li2O在0.84～2的范围。
2.如权利要求1所述的半导体封装用无铅玻璃，其特征在于，以摩尔%计含有SiO249～53.6%、Al2O30.4～1.1%、B2O315.5～18.2%、MgO0～0.5%、CaO0～0.5%、ZnO7.4～9.9%、Li2O5～10%、Na2O5～11%、K2O0.1～2.3%、Li2O＋Na2O＋K2O19～25%、TiO21.1～4%，且ZnO/Li2O在0.85～1.5的范围。
3.如权利要求1或2所述的半导体封装用无铅玻璃，其特征在于，Li2O的含量低于9摩尔%。
4.如权利要求1～3任一项所述的半导体封装用无铅玻璃，其特征在于，SiO2＋TiO2为52.1～56.5%。
5.如权利要求1～4任一项所述的半导体封装用无铅玻璃，其特征在于，与106dPa·s的粘度相当的温度在650℃以下。
6.一种半导体封装用外套管，其特征在于，所述半导体封装用外套管由权利要求1～5中任一项所述的玻璃制成。
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