[发明专利]电介质薄膜的成膜方法

权利要求书

1.一种电介质薄膜的成膜方法，具有在已抽真空的真空槽内一边加热衬底一边对锆钛酸铅（PZT）靶施加电压进行溅射，在所述衬底的表面形成PZT薄膜的成膜工序，其特征在于，

在所述成膜工序之前具有使PbO气体附着于所述衬底的表面以形成种子层的种子层形成工序。

2.根据权利要求1所述的电介质薄膜的成膜方法，其特征在于，在所述种子层形成工序中，在所述真空槽内对化学结构中含有Pb和O的释放源进行加热，使所述释放源放出PbO气体。

3.根据权利要求2所述的电介质薄膜的成膜方法，其特征在于，在所述种子层形成工序中，一边使所述释放源放出PbO气体一边将不与PbO反应的惰性气体导入所述真空槽内。

4.根据权利要求3所述的电介质薄膜的成膜方法，其特征在于，在所述种子层形成工序中，将所述释放源加热到比所述成膜工序中的所述衬底的温度高的温度。

5.根据权利要求4所述的电介质薄膜的成膜方法，其特征在于，在所述种子层形成工序中，将所述释放源加热到比所述成膜工序中的所述衬底的温度高50℃以上的温度。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的电介质薄膜的成膜方法，其特征在于，所述衬底在表面具有优先向（111）面取向的Pt、Ir中的任一贵金属的薄膜。