[发明专利]掺杂有等离子体纳米颗粒的丝材无效
申请号: | 201180053228.1 | 申请日: | 2011-09-03 |
公开(公告)号: | CN103328034A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 菲奥伦佐·奥梅内托;大卫·L·卡普兰;陶虎 | 申请(专利权)人: | 塔夫茨大学/塔夫茨学院信托人 |
主分类号: | A61M36/02 | 分类号: | A61M36/02;A61F7/00;A61M31/00;A61F2/02;A61L27/44;A61L27/50;A61L27/22;A61L27/04;A61L27/54 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;卢蓓 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 等离子体 纳米 颗粒 | ||
1.一种光热元件,其包含:
在暴露于电磁辐射时产生热的多个等离子体纳米颗粒;和
丝纤蛋白基质,
其中所述多个等离子体纳米颗粒分布于所述丝纤蛋白基质中;并且
其中所述多个等离子体纳米颗粒的平均直径为约5nm至100nm。
2.根据权利要求1所述的光热元件,其中所述丝纤蛋白基质的至少一部分是光学透明的。
3.根据权利要求1或2所述的光热元件,其中所述丝纤蛋白基质为以下形式:
线、光纤、膜、超薄膜、凝胶、可注射基质、涂层、囊泡、海绵、块、多孔结构或其任意组合。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光热元件,其中所述丝纤蛋白基质是丝膜。
5.根据权利要求4所述的光热元件,其中所述丝膜的厚度为10nm或更少、30nm至500μm、30nm至50nm、约100nm、约2μm、或20μm至30μm。
6.根据权利要求5所述的光热元件,其中所述丝膜的厚度为约30μm。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的光热元件,其中所述光热元件被调整为在与表面接触之后与所述表面相顺应。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的光热元件,其中所述至少一种等离子体纳米颗粒均匀地分散于所述丝纤蛋白基质中。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的光热元件,其中所述至少一种等离子体纳米颗粒以梯度分布于所述丝纤蛋白基质中。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的光热元件,其中所述至少一种等离子体纳米颗粒以图案状分布,所述图案包括光学图案、微米图案或纳米图案。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的光热元件,其中所述至少一种等离子体纳米颗粒和/或所述光热元件被PEG化。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的光热元件,其中所述至少一种等离子体纳米颗粒选自:纳米球、纳米壳、纳米棒、纳米笼、纳米晶体、纳米粉末及其任意组合。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的光热元件,其中所述至少一种等离子体纳米颗粒是纳米球或纳米壳。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的光热元件,其中所述至少一种等离子体纳米颗粒包含至少一种金属。
15.根据权利要求14所述的光热元件,其中所述金属选自:贵金属、非贵金属、它们的氧化物、它们的合金及它们的任意组合。
16.根据权利要求15所述的光热元件,其中所述贵金属选自:金、银、钌、铑、钯、锇、铱、铂及其任意组合。
17.根据权利要求15至16中任一项所述的光热元件,其中所述贵金属是金。
18.根据权利要求15所述的光热元件,其中所述非贵金属选自:钛、铝、镍、氟、铈、锡、铋、锑、钼、铬、钴、锌、钨、钋、铼、铜及其任意组合。
19.根据权利要求1至18中任一项所述的光热元件,其还包括热-电器件。
20.根据权利要求1至19中任一项所述的光热元件,其中所述至少一种等离子体纳米颗粒和/或所述丝纤蛋白基质还包含至少一种活性剂。
21.根据权利要求1至20中任一项所述的光热元件,其还包含至少一种对比度增强剂。
22.根据权利要求21所述的光热元件,其中所述对比度增强剂是吲哚菁绿。
23.根据权利要求1至22中任一项所述的光热元件,其中所述丝纤蛋白基质还包含至少一种光学器件以调节所述电磁辐射。
24.根据权利要求1至23中任一项所述的光热元件,其中所述丝纤蛋白基质还包含至少一种光学图案以调节所述电磁辐射。
25.根据权利要求1至24中任一项所述的光热元件,其中所述电磁辐射选自:γ射线、X射线、紫外线、可见光、红外线、近红外线、微波、无线电波、长无线电波、激光辐射、近红外线激光辐射及其任意组合。
26.一种可植入器件,其包含根据权利要求1至25中任一项所述的光热元件。
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