[发明专利]织构化玻璃上的多结构型薄膜硅太阳能电池

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池，它包含：

包含具有特征的织构化表面的基材；以及

包含与所述织构化表面相邻的透明导电氧化物的前电极层，其中所述电极层的平均厚度小于所述织构化表面的平均横向特征尺寸的1.5倍。

2.如权利要求1所述的电池，其特征在于，所述前电极层的平均厚度小于所述织构化表面的平均横向特征尺寸。

3.如权利要求1所述的电池，其特征在于，所述基材包含玻璃。

4.如权利要求1所述的电池，其特征在于，所述透明导电氧化物置于织构化表面上。

5.如权利要求1所述的电池，该电池还包含与电极层相邻的第一p-i-n光伏转换单元。

6.如权利要求5所述的电池，其特征在于，所述第一p-i-n光伏转换单元置于电极层上。

7.如权利要求5所述的电池，其特征在于，所述第一p-i-n光伏转换单元包含无定形硅吸收层。

8.如权利要求7所述的电池，其特征在于，所述无定形硅吸收层的厚度小于250nm。

9.如权利要求5所述的电池，该电池还包含与第一p-i-n光伏转换单元相邻的第二p-i-n光伏转换单元。

10.如权利要求1所述的电池，该电池还包含与第一p-i-n光伏转换单元相邻的中间层。

11.如权利要求10所述的电池，该电池还包含具有与第二p-i-n光伏转换单元相邻的透明导电氧化物的背电极层。

12.如权利要求10所述的电池，该电池还包含与中间层相邻的第二p-i-n光伏转换单元。

13.如权利要求12所述的电池，其特征在于，所述第二p-i-n光伏转换单元置于中间层上。

14.如权利要求12所述的电池，其特征在于，所述第二p-i-n光伏转换单元置于第一p-i-n光伏转换单元上。

15.如权利要求14所述的电池，该电池还包含具有与第二p-i-n光伏转换单元相邻的透明导电氧化物的背电极层。

16.如权利要求12所述的电池，其特征在于，所述第二p-i-n光伏转换单元包含微晶硅吸收层。

17.如权利要求16所述的电池，该电池还包含与背电极层相邻的反射层。

18.如权利要求16所述的电池，其特征在于，所述背电极层置于第二p-i-n光伏转换单元上。

19.如权利要求16所述的电池，其特征在于，所述微晶硅吸收层的平均厚度等于或小于2.5μm。

20.如权利要求19所述的电池，其特征在于，所述微晶硅吸收层的平均厚度等于或小于2.0μm。

21.如权利要求1所述的电池，其特征在于，所述前电极层的平均厚度等于或小于1.5μm。

22.如权利要求1所述的电池，其特征在于，通过化学气相沉积来沉积所述前电极层。

23.如权利要求1所述的电池，其特征在于，所述前电极层包含ZnO。

24.如权利要求1所述的电池，其特征在于，所述织构化表面的粗糙度为200nm至3μm。

25.如权利要求1所述的电池，其特征在于，该电池的稳定效率大于或等于11.5%。

26.如权利要求25所述的电池，其特征在于，该电池的稳定效率大于11.7%。

27.一种薄膜太阳能电池，它包含：

包含具有特征的织构化表面的基材，其中所述织构化表面的平均横向特征尺寸大于或等于50nm，所述电池的稳定效率大于或等于11.5%。

28.如权利要求27所述的电池，其特征在于，该电池的稳定效率大于11.7%。

29.如权利要求27所述的电池，其特征在于，所述织构化表面的平均横向特征尺寸大于或等于约1μm。