[发明专利]基板和分割机构、生长薄膜及生长方法、分离方法、加热方法、外延晶片、发光二极管

权利要求书

1.一种组合基板，不仅能够完全除去或减少由于将在化学性薄膜生长（化学气相沉积）用基板上生长的生长薄膜A重新分割为以指定的形状分割的单元薄膜（或单元片）时实施的薄膜分割工序（能够使用切断、刻蚀等非限制性的方法）引起的分割部的缺陷产生概率，而且能够使低缺陷高品质的化学性生长薄膜生长，上述组合基板的特征在于，

上述组合基板包含一个以上的基板和一个以上的分割机构，至少上述两种结构要素作为相互独立的部件，能够进行分离，

在上述分割机构的表面物质上生长的生长薄膜A的生长率小于在上述基板的表面上生长的生长薄膜A的生长率，

上述分割机构具有包含一个以上的穿孔和/或凹陷部的分割生长部，并以至少占有上述基板的最底面层级与上述基板的上表面+3mm上位层级之间的空间中一部分的状态与上述基板组合，以便通过上述分割生长部使用于上述薄膜生长用基板的表面露出于工序气体（蒸气），并在生长薄膜A在上述基板的表面生长时以由上述分割机构的分割生长部（在至少一部分的厚度范围）自然分割的状态获得生长薄膜A，

上述分割机构的表面物质在摄氏500度下的饱和蒸气压为200Torr以下，

与分割生长部的形状相对应的生长薄膜A以自然分割的状态在上述分割生长部生长。

2.一种组合基板，不仅能够完全除去或减少由于将在化学性薄膜生长（化学气相沉积）用基板上生长的生长薄膜A重新分割为以指定的形状分割的单元薄膜（或单元片）时实施的薄膜分割工序（可以使用切断、刻蚀等非限制性的方法）引起的分割部的缺陷产生概率，而且能够使低缺陷高品质的化学性生长薄膜生长，上述组合基板的特征在于，

上述组合基板包含一个以上的基板和一个以上的分割机构，至少上述两种结构要素作为相互独立的部件，能够进行分离，

在上述分割机构的表面物质上生长的生长薄膜A的生长率小于在上述基板的表面上生长的生长薄膜A的生长率，

上述分割机构具有包含一个以上的穿孔和/或凹陷部的分割生长部，并以至少占有上述基板的最底面层级与上述基板的上表面+3mm上位层级之间的空间中一部分的状态与上述基板组合，以便通过上述分割生长部使上述薄膜生长用基板的表面露出于工序气体（蒸气），并在生长薄膜A在上述基板的表面生长时以由上述分割机构的分割生长部（在至少一部分的厚度范围）自然分割的状态获得生长薄膜A，

上述分割机构的表面物质在摄氏500度下的饱和蒸气压为200Torr以下，

单元薄膜（或单元片）以自然分割的状态在上述分割生长部生长，

上述分割生长部或以分割的状态在分割生长部生长的生长薄膜A的形状与单元薄膜（或单元片）的形状相同或相似。

3.一种组合基板，不仅能够完全除去或减少由于将在化学性薄膜生长（化学气相沉积）用基板上生长的生长薄膜A重新分割为以指定的形状分割的单元薄膜（或单元片）时实施的薄膜分割工序（能够使用切断、刻蚀等非限制性的方法）引起的分割部的缺陷产生概率，而且还能够使低缺陷高品质的化学性生长薄膜生长，上述组合基板的特征在于，

上述组合基板包含一个以上的基板和一个以上的分割机构，至少上述两种结构要素作为相互独立的部件，能够进行分离，在上述分割机构的表面物质上生长的生长薄膜A的生长率小于在上述基板的表面上生长的生长薄膜A的生长率，

上述分割机构具有包含一个以上的穿孔和/或凹陷部的分割生长部，并以至少占有上述基板的最底面层级与上述基板的上表面+3mm上位层级之间的空间中一部分的状态与上述基板组合，以便通过上述分割生长部使上述薄膜生长用基板的表面露出于工序气体（蒸气），并在生长薄膜A在上述基板的表面生长时以由上述分割机构的分割生长部（在至少一部分的厚度范围）自然分割的状态获得生长薄膜A，

上述分割机构的表面物质在摄氏500度下的饱和蒸气压为200Torr以下，

生长薄膜A以自然分割的状态在上述分割生长部生长，

上述分割生长部或以分割的状态在分割生长部生长的生长薄膜A的边缘中至少一部分的形状与单元薄膜（或单元片）的边缘中的一部分的形状相同或相似。