[发明专利]用于a-Si单结和多结薄膜硅太阳能电池的改善的a-Si：H吸收器层无效
| 申请号： | 201180053284.5 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN103222071A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | M.费西奥鲁-莫拉里乌 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康太阳能股份公司（特吕巴赫） |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0376;H01L31/0392;H01L31/077 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑冀之;王忠忠 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 si 薄膜 太阳能电池 改善 吸收 | ||
1. 一种通过在RF-SiH4等离子体中进行等离子体加强蒸汽沉积PECVD来制造薄膜太阳能电池的a-Si:H的吸收器层的方法，所述方法包括下述步骤中的至少之一
a）以低于0.5 mbar的过程压力进行所述沉积
b）以低于370W/14 000 cm2的RF功率密度进行所述沉积。
2. 根据权利要求1所述的方法，包括步骤a）和步骤b）。
3. 根据权利要求1或2所述的方法，包括：将所述过程压力值选择为至少0.3 mbar。
4. 根据权利要求1所述的方法，包括：以0.45 mbar的压力值仅进行步骤a）。
5. 根据权利要求1所述的方法，包括：以270W/14000cm2的功率密度值仅进行步骤b）。
6. 根据权利要求2所述的方法，由此将所述过程压力选择为0.4 mbar并且将所述功率密度选择为230W/14000cm2。
7. 一种a-Si:H的光伏吸收器层，包括下述至少之一：
i. 小于10.5的显微结构因数R（%）
ii. 低于13.7的H含量cH（at.%）。
8. 根据权利要求7所述的吸收器层，其根据权利要求1至6中任一项所述的方法制成。
9. 根据权利要求7或8所述的吸收器层，其根据权利要求2、3、6中任一项所述的方法制成。
10. 一种单结a-Si太阳能电池，包括低压化学蒸汽沉积（LPCVD）的ZnO前触点层，所述前触点层包括根据权利要求7至9中任一项所述的吸收器层。
11. 根据权利要求10所述的a-Si太阳能电池，其中所述吸收器层具有265nm的厚度。
12. 根据权利要求10或11所述的a-Si太阳能电池，其中，下述至少之一有效：
I．电流密度Jsc高于16.8 ma/cm2
II．效率高于10.62 %。
13. 根据权利要求12所述的a-Si太阳能电池，其中，I.和II.是有效的。
14. 根据权利要求10至12中任一项所述的a-Si太阳能电池，其具有至少8.25%的1000小时光均热之后的绝对稳定效率和小于22%的相对光致衰退。
15. 一种非微晶太阳能串联电池，其包括顶部电池和底部电池，其中所述顶部电池包括优选地根据权利要求9制成的满足i.和ii.的根据权利要求7所述的a-Si吸收器层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
